新能源电动汽车OBC/DC-DC方案，使用SiC-MOSFET相对cool-MOSFET/IGBT的优势【勤基科技/代理台湾瀚薪SiC】
1、超高工作结温（Tj max），增强了系统可靠性，降低了PCB尺寸（简化了热管理）
2、在高达200°C的整个温度范围内有低导通状态电阻，降低了对冷却的需求，具有更高的系统效率
3、降低开关损耗，随温度变化最小，设计更紧凑（无源元件更少）
4、低导通状态电阻（对于650 V设备，典型20 mΩ @ 25 °C；对于1200 V设备，典型80 mΩ @ 25 °C），系统效率更高（降低了对冷却的要求）
5、易于驱动
6、稳定的超快速本体二极管（无需外部续流二极管，从而进一步缩小了系统尺寸）
