无锡新洁能针对此应用推出了四款同步整流MOS NCEP6020ASNCE0110AS，NCE0114AS，NCEP0160G，并采用最新的Super Trench 工艺。SuperTrench MOS采用具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽（ShieldGate Deep Trench）技术，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻（Rsp）和栅极电荷（Qg）,新款Super Trench MOS 软体二极管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰。
NCEP6020AS（60V 20A）
- SOP-8封装
- Vth=1.7V- Ron10=4.0mR (Typ.)
- Ron4.5=4.4mR(Typ.)
- Qgd=10nC
NCE0110AS
- SOP-8封装- VDS= 100V,ID =10A
- RDS(ON)< 17m? @ VGS=10V (Typ:14m?)
- RDS(ON)< 20m? @ VGS=4.5V (Typ:15.2m?)
NCE0114AS
- SOP-8封装
- VDS =100V,ID =14A
- RDS(ON)=8.8mΩ (typical) @VGS=10V
- RDS(ON)=9.8mΩ (typical) @ VGS=4.5V
NCEP0160G
- DFN5X6-8L(同SOP-8封装兼容)
- VDS =100V,ID =60A
- RDS(ON) <8.5mΩ @ VGS=10V
NCE0114AS在一款采用PI方案INN2215K方案的24W快充产品上，在较苛刻的测试条件下实测效率高达88.5%。测试条件：输入90V AC，输出8V3A。NCE0160G相比NCE0114AS，Rdson更低，电流更大，热阻低至0.7℃/W,适合一些要求更严格的场合。
同时，新洁能针对OB，Iwtt一些非集成初级MOS方案，可提供TO-251.TO-252等小体积超结MOS。相对于VDMOS，具有更低的导通电阻，利于降低导通损耗，极低的栅极电荷，提供更快的开关速度，同规格下更小的封装体积，减小产品尺寸。 TO-251,TO-252封装下最大可提供11A650V。普通VDMOS则较难做到如此小型封装。
样品申请：QQ，420375900 TEL：13420909403
