现有一款电源,要求,-48V输入(-36V~-58.5V),输出-58V,不要求隔离,效率不低于0.96(50%load)。
求问采用什么拓扑合理啊,BOOST升压的话可能在输入电压高的时候有问题,
如果采用sepic拓扑,SEPIC电容是够好选择。
如果采用全桥逆变,以哪种控制方式好一些啊?变压器副边的整流方式也不太好抉择啊,不太好选管子。
求大神指点
现有一款电源,要求,-48V输入(-36V~-58.5V),输出-58V,不要求隔离,效率不低于0.96(50%load)。
求问采用什么拓扑合理啊,BOOST升压的话可能在输入电压高的时候有问题,
如果采用sepic拓扑,SEPIC电容是够好选择。
如果采用全桥逆变,以哪种控制方式好一些啊?变压器副边的整流方式也不太好抉择啊,不太好选管子。
求大神指点
我就是没有直接用BOOST做过这么大功率的电源,之前做的BOOST功率都很小,而且升压比也大一些。
不清楚点一:BOOST输入很接近输入输出时候,不知道控制是否好做。
不清楚点二:客户是要求了-58.5V的输入范围,是否能够就这么用开关管的压降给他巧妙的避开。
不清楚点三:我看别个准备用5*6的那种贴片MOS做。散热是否能过。还是用220/247的好一些。但是220/247的成本就高一些了。
你這6KW:
一般BOOST做不到了, 因為可以有切換MOSFET但輸出整流端用二極體達不到, 若是整流端也用MOSFET做成同步Boost, 那勢必要加死區, 只要加了死區, 那臨界點Vin 接近 Vout時, 電壓會突然掉下來產生UnderShooting
使用昇降壓IC來做, 一是考慮耐壓, 二是考慮溫度, 三是考慮輸出特性,
耐壓是因為升降IC會有兩組自舉迴路, 以58V輸入, 那麼耐壓要達100V Ratting 才可
溫度是這類IC要用多顆MOS並聯, 驅動電流怕不夠, 但是又不能外加驅動, 所以要選MOSFET
特性是, 當升壓轉降壓趨於臨界點時, 輸出一樣會出現UnderShooting , 當降壓轉升壓達臨界點時則輸出會出現OverSooting , 這種是電壓瞬間跨越時會出現, 週期寬度與Feed Respond 有關, 電壓高度則是因為處於
臨界點所以並不高, 就看客戶接不接受...
所以, 這種低壓大電流, 又電壓好接近, 你考慮選用推挽式加同步看看, 但效率要拉高且考慮死區時的漏磁問題, 可選正激推挽式再加輸出同步,但是正激推挽要加一顆大電容, 就看你體積如何
军长,你好,就是考虑到输出功率较大(电流大),所以,SEPIC/LLC这种需要加电容的电路就不好做了,电容不好选择。
如果用推挽的方式去做,开关管工作在硬开关状态,而且开关管要求耐压高,不知道效率能不能达到要求。
我现在有两种考虑:
一种是直接用BOOST做,这种方式做的话成本较低,控制也简单;但是具有的问题就如之前所述;
第二种方案就是使用全桥移相+同步整流,分成2个3kw并联。但是原边电流较大,需要的谐振电感很小,怕漏感大了,占空比丢失太大,是不是可以在开关管上并联电容解决这一问题。
老师,你给我留个邮箱,我最近做了这个原理图的设计,我发您邮箱,你帮忙看下。
还有就是我现在这种拓扑可能不是最好的,有什么好的也可以推荐一下。