18W 六级能效快充电源主要特性：1 、输入电压范围 90V AC ~264V AC2 、输出 5V DC /3.0A 、9V DC /2.0A 、12V DC /1.5A3 、输出最大纹波 90mV 以内4 、输出电压步进±200mV5 、具有输出过流保护、短路保护、过温保护等功能6 、符合“DOE&COC”6 级能效标准7 、通过 EN55022 ClassB 的 的 EMI 测试标准8 、通过 EFT 4KV
刘云 18603037844微信同号
一、概述是一颗电流模式 PWM：
控制芯片，内置 650V 高压功率 MOSFET，应用于功率在 18W 以内的方案。 在 PWM 模式下工作于固定开关频率，这个频率是由内部精确设定。在空载或者轻载时，工作频率由 IC 内部调整。芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率。 在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个很大的电阻，以此来进一步减小待机时的功耗。芯片内置有斜坡补偿电路，当电路工作于大占空比时，避免次谐波振荡的发生，改善系统的稳定性。内置有前沿消隐时（Leading-edge blanking time），消除缓冲网络中的二极管反向恢复电流对电路的影响。 采用了抖频技术，能够有效改善系统的 EMI 性能。系统的跳频频率设置在音频(22KHz)以上，在工作时可以避免系统产生噪音。 内置多种保护，包括逐周期限流保护（OCP），过载保护（OLP），过压保护（VDD OVP），VDD 过压箝位，欠压保护（UVLO），过温保护（OTP）等，通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的改善系统的 EMI 特性和开关的软启动控制。
二、特点全电压范围（90Vac-265Vac）输入时待机功耗小于 100mW内置 650V 高压功率管4ms 软启动用来减少 MOSFET 上 Vds 的应力抖频功能，改善 EMI 性能跳频模式，改善轻载效率，减小待机功耗无噪声工作固定 65KHz 开关频率内置同步斜坡补偿低启动电流，低工作电流内置前沿消隐(LEB)功能过载保护（OLP），逐周期限流保护（OCP）VDD 过压保护（VDD OVP），欠压保护（UVLO），VDD 电压箝位过温保护（OTP）SOP8 无铅封装
