请教两个问题!

1 磁心得损耗是查比损耗的曲线.
2 仅从MOSFET的安全考虑,是没有问题的.从结点到体表
  面只有几度的温差.

在设计时你是怎样根据曲线来估算损耗的

1.从磁芯材料查到开关频率对应的单位体积损耗,再乘以磁芯体积就得到了.
2.mosfet的规格里面有一项Thermal Resistance(junction to case),把该mosfet的损耗乘以这个值得到一个温度,这个温度就是结温和表面(金属部分)的温差了.

能否上傳常用磁芯材料的比損耗曲線,小弟在此先謝了.

请问曲线图里面有100mT、150mT、200mT等几条曲线,这是什么意思?

你测试时环境温度是多少?
若是50度,还勉强可以.

是指工作的最大磁通密度.

表面温度与管心温度之差,要看管子散热条件,散热条件越好,表面温度与管心温度之差越大.
如果在环境25度时,管子表面温度105度的话,不管散热条件好坏,都不行.

表面与管芯的温差与相应的热阻及芯片的功耗有关.
与芯片到环境的热阻无关.

打个比喻来说明表面温度与管心温度之差的问题,把管子的表面和管心看成是一根铜棒的两头,一头泡在水里,另一头用火烧,会如何?
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热阻的有一项是针对Juction to case,说的是从核心到表面的,是Mosfet内部材料和结构决定的,是不会因为环境的变化而变化的.这个是mosfet固有的特性.

第9帖说的对.整个热系统的热阻是Junction to case (jc) 加 Case to ambient (ca), 不同的环境,ca 就有变化,总的热阻就不一样,管芯散发到环境的热量就不一样,它的温度也就不一样.

但你测量的是Case的温度.

是的,固定功率下,芯与壳的温差也是固定的.