大功率应用场景下，Module封装的IGBT/MOSFET在驱动设计时一般都会通过检测Vce/Vds端口电压来做过流保护，但是对于分立型IGBT/MOSFET很少有做这一块功能，请问一下这主要原因是什么？
个人理解的因素主要有下面两点，不清楚是否全面
a) Module封装的管子成本较高，所以需要更可靠的驱动保护电路，所以不会太在意增加此功能而额外多出来的成本；
b) 分立IGBT/MOSFET的扛电流冲击能力较弱，尤其对于一些快速管子，当前的驱动IC来不及保护；
大功率应用场景下，Module封装的IGBT/MOSFET在驱动设计时一般都会通过检测Vce/Vds端口电压来做过流保护，但是对于分立型IGBT/MOSFET很少有做这一块功能，请问一下这主要原因是什么？
个人理解的因素主要有下面两点，不清楚是否全面
a) Module封装的管子成本较高，所以需要更可靠的驱动保护电路，所以不会太在意增加此功能而额外多出来的成本；
b) 分立IGBT/MOSFET的扛电流冲击能力较弱，尤其对于一些快速管子，当前的驱动IC来不及保护；
