拿到核达150W超薄TV电源有空时，进行了一顿捣腾。
输入100Vac上电5V有正常的输出后，将ON/OFF PIN短路到+5VB PIN后，两路主路+12V与+24V也分别有了输出。
然后测试PFC后级主功率MOS的波形，波形如下，4通道绿色为MOS Vds。发现该波形并不像是反激的典型波形，其实更像是正激的波形。
接下来进一步测试了其他器件PIN脚的波形，我们同时测试了主变压器一次侧两个绕组的波形，以及二次侧中一个输出绕组的波形。其中蓝色为二次侧其中一个绕组的波形，红色为一次侧主绕组的波形，绿色为主MOS Vds波形。根据这三个波形可以看出在Vds为0，即一次侧MOS导通器件，二次侧绕组并与一次侧绕组波形同样为高电平，证实后级拓扑采用的为正激变换器。
突然间我观察到了上面的实验波形，可以看到在MOS导通期间，一次侧主绕组两端电压只有300V（输入为100Vac），说明此时PFC输出电压只有300V，而正常输入范围为100Vac~240Vac，在通常PFC采用Boost拓扑结构的前提下，那么在输入240V时，PFC输出电压至少为240*1.414=340V。那么可以猜测改PFC调节方式为Follower Boost，然后我们带着这个猜测做了进一步的测试。
如下波形是在150Vac，正激MOS导通时，一次侧主绕组两端电压变为362V，即PFC电压此时变为362V。
进一步地，我们将输入电压抬高到220Vac，此时波形如下，此时MOS两端承受的PFC输出电压（红色）变为378V。
测到此处已经证实PFC输出电压确实会随输入电压的增加而增加，即为Follower Boost拓扑。该拓扑可以有效地提升低压输入时整机的效率。
对于后级DC/DC正激拓扑，我们还进行了如下测试，其中黑色为24V空载时的一次侧主MOS波形，绿色为24V满载时一次侧主MOS的波形。可以看到当输出负载增加时，波形的频率不变，保持为100KHz，而占空比明显变大了（导通时间变长），说明正激为定频PWM调制模式。
本次先测到这里，后面有时间再继续捣腾吧。
