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HFC0500反激开关电源，吸收电阻发热严重

请教，输出接5W负载，吸收电路的R4发热严重，120度以上。不知道什么情况，会不会是变压器漏感太大？谢谢

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紫蝶
LV.9
2
2019-06-05 21:46
功率余量不足了吧
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朝阳之星
LV.5
3
2019-06-06 09:21
你的电阻是什么规格？
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jlh213
LV.6
4
2019-06-06 09:27
C2容值太大了吧，一般472或者332的多。
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w_z_h
LV.1
5
2019-06-06 16:01
@jlh213
C2容值太大了吧，一般472或者332的多。

电容换成2.2nF了，还是发热严重。

有没有可能，变压器漏感大了？

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w_z_h
LV.1
6
2019-06-06 16:03
@朝阳之星
你的电阻是什么规格？
换成1W的，也不行。
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世界真奇妙
7
2019-06-06 16:23

R4的发热与C2的容量无关。

与变压器设计相关。

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世界真奇妙
8
2019-06-06 16:31
@世界真奇妙
R4的发热与C2的容量无关。与变压器设计相关。
与使用的控制IC无关
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w_z_h
LV.1
9
2019-06-06 16:39
@世界真奇妙
R4的发热与C2的容量无关。与变压器设计相关。
变压器1.2mH，匝数比NP:Naux：NS=108:18:12.
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世界真奇妙
10
2019-06-06 17:10
@w_z_h
变压器1.2mH，匝数比NP:Naux：NS=108:18:12.
输入AC220V，输出多少？输出是多少匝？输出电流多少A？
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南洋菜鸟
LV.1
11
2019-06-06 17:13

输入电压和输出电压是多少？

可能是输出高于输入钳位了，所以snubber电阻一直是有电压的

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世界真奇妙
12
2019-06-06 18:09

匝数比NP:Naux：NS=108:18:12

这样的匝比，反射电压有点高，R4的功耗就太大了，可以增加输出绕组的匝数降低发射电压，降低R4的发热。如果MOSFET的耐压有较大的余量，可以增加R4的阻值降低功耗，比如R4的阻值调到100K或150K。

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水乡电源
13
2019-06-06 18:44
@世界真奇妙
匝数比NP:Naux：NS=108:18:12这样的匝比，反射电压有点高，R4的功耗就太大了，可以增加输出绕组的匝数降低发射电压，降低R4的发热。如果MOSFET的耐压有较大的余量，可以增加R4的阻值降低功耗，比如R4的阻值调到100K或150K。

看楼主的第1贴的原理图，

EE25磁芯，再看采样电阻，

推想12V输出，功率最多24W，

假设频率65K，

那匝比只需要，NP80：NS12：NF14，700uH

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czlxqj
LV.4
14
2019-06-07 13:22
@世界真奇妙
匝数比NP:Naux：NS=108:18:12这样的匝比，反射电压有点高，R4的功耗就太大了，可以增加输出绕组的匝数降低发射电压，降低R4的发热。如果MOSFET的耐压有较大的余量，可以增加R4的阻值降低功耗，比如R4的阻值调到100K或150K。
从参数上看，输出是12V，反射电压也就120V左右，一点也不高！
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czlxqj
LV.4
15
2019-06-07 13:25
D3有问题，；漏电严重！
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shao456
LV.6
16
2019-06-10 16:58
用示波器测一下电阻两端的电压，核算一下电阻功耗，应该是RC参数设计不合理造成的
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shao456
LV.6
17
2019-06-10 17:10
@w_z_h
电容换成2.2nF了，还是发热严重。有没有可能，变压器漏感大了？
首先要确定钳位电压Vsn，依据Vsn及漏感来计算R，依据电容的纹波电压ΔVsn、Vsn、R、f来计算C，你单独改变电容的容值肯定不行，这样永远找不到方向

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chenyankun
LV.8
18
2019-06-12 12:44
@shao456
用示波器测一下电阻两端的电压，核算一下电阻功耗，应该是RC参数设计不合理造成的

上面的回帖有了不少建议，都是很有效的建议。吸收电阻烫有时候是很正常的，说明选择的功率不够。另外变压器的漏感也很关键，好像没有看到你的漏感是多少？你可以把电阻改大看下你吸收的效果？

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w_z_h
LV.1
19
2019-06-17 14:25
@水乡电源
看楼主的第1贴的原理图，EE25磁芯，再看采样电阻，推想12V输出，功率最多24W，假设频率65K，那匝比只需要，NP80：NS12：NF14，700uH
现在换个变压器，NP:NS:NF=84:11:17，现在不启动了，HV-8脚，一直在充电，放电，什么情况呢
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