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用国产2113芯片驱动IGBT总是炸管子,是怎么回事?

电路如上图,采用国产的2113芯片驱动英飞凌600V/50A的IGBT构成的三相全桥,驱动电阻R1-1,R2-1为10欧姆,母线电压310V,PWM频率20kHz,加上驱动信号就炸管子。把驱动电阻换成100欧姆,也只正常工作了几秒钟,然后继续炸。

但把驱动芯片换成进口IR2110,就完全没问题,产品连续工作半分钟,负载电阻烫得焊锡都熔化了都没问题。国产芯片驱动在母线电压比较低的时候,比如150V左右都没问题,但母线电压一升高到200V以上,就不行了,开始炸管子。

从器件指标上看主要参数都差不多,驱动电流国产的芯片还优于进口芯片。

另外,进口IR2113里有dVs/dt这个指标,我用的这颗国产芯片没有提供这个指标。是因为这个指标的差异导致的吗?这个指标是什么意思?

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其乐518
LV.2
2
2019-09-26 19:34

dvs/dt应该就是dv/dt吧,是不是你的驱动无力,开通过程的时间太长了呢?

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wrtiger88
LV.1
3
2019-09-26 21:29
调整控制一下关断时间试试
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wxgsnake
LV.4
4
2019-09-26 22:50
导通时间控制在10ns之内吗 调整试试
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