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零电压开关具体是零电压开启还是零电压关断抑或两者同时满足?零电流的情况呢?

请大神回答一下在下的疑问,感谢。

由于二极管的续流作用,管子能零电压开启,开启时开关损耗比较小,能满足零电压开启;

关断的时候管子是导通的,电压本身就是个导通压降,完全关断后管子电压又变成高电压了,完全谈不上零电压关断啊。

对比硬开关效率具体能提高多少个点啊?

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ghsdwf
LV.6
2
2019-10-14 14:21

零电压开关指的是0电压开启,效率提升必须是具体问题具体分析,一般500W LLC对比硬开关半桥,有3~5%的提升,主要有开关损耗降低,Mos反向恢复损耗没有,Coss损耗没有,还有副边整流管实现ZCS损耗降低。

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hylylx
LV.9
3
2019-10-14 15:15
你忘记了最关键的一个词。
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hereliu
LV.8
4
2019-10-16 08:58

既然说的是开关,当然是有开有关。 关断以后,电压当然会上升。只要关断过程中,电压还没上升或只上升了一点点,那就是零电压关断。 至于效率提升, 要看具体情况。如果开关频率本来就不高,开关损耗所占比例比较低, 使用软开关,效率自然也没多少变化。如果频率很高,比如1MHz,  开关损耗很大,用软开关,效率提升就比较明显。  使用软开关除了效率提升外,mosfet的可靠性也会得到提升。

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2019-10-17 15:59
@hereliu
既然说的是开关,当然是有开有关。关断以后,电压当然会上升。只要关断过程中,电压还没上升或只上升了一点点,那就是零电压关断。至于效率提升,要看具体情况。如果开关频率本来就不高,开关损耗所占比例比较低,使用软开关,效率自然也没多少变化。如果频率很高,比如1MHz, 开关损耗很大,用软开关,效率提升就比较明显。 使用软开关除了效率提升外,mosfet的可靠性也会得到提升。

MOSFET关断过程中米勒平台电压,管子的漏源之间电压要从0V上升到相应的高电压,这期间内流过管子的电流只比导通时的电流小一点点,在米勒平台区过了,再到栅极电压下降到Vth阈值电压期间内管子的电流才完全降为零。

您说的(只要关断过程中,电压还没上升或只上升了一点点)好像和MOSFET的关断波形图有些出入啊。

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2019-10-17 16:05
@hylylx
[图片]你忘记了最关键的一个词。
什么词啊?大神
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2019-10-17 16:13
@ghsdwf
零电压开关指的是0电压开启,效率提升必须是具体问题具体分析,一般500WLLC对比硬开关半桥,有3~5%的提升,主要有开关损耗降低,Mos反向恢复损耗没有,Coss损耗没有,还有副边整流管实现ZCS损耗降低。
零电流开关就是零电流关断了吧
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hereliu
LV.8
8
2019-10-18 09:53
@不由分说
MOSFET关断过程中米勒平台电压,管子的漏源之间电压要从0V上升到相应的高电压,这期间内流过管子的电流只比导通时的电流小一点点,在米勒平台区过了,再到栅极电压下降到Vth阈值电压期间内管子的电流才完全降为零。您说的(只要关断过程中,电压还没上升或只上升了一点点)好像和MOSFET的关断波形图有些出入啊。[图片]

你这是硬开关。 ZVS(零电压开关)软开关,是看不到米勒平台的。

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2019-10-18 14:32
@hereliu
你这是硬开关。ZVS(零电压开关)软开关,是看不到米勒平台的。
好吧,就按师长的意思吧
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