T8205 +DW01A
20 v双n沟道增强型MOSFET 65 VDS = 20 v 特性 先进的海沟过程技术 高密度超单元设计低导通电阻 高功率和电流处理能力 理想的锂离子电池组的应用程序 最大的评级和热特性(TA = 25摄氏度除非另有注明) 参数符号限制单元 漏源极电压VDS公司20 Gate-Source电压vg±12 V 连续漏电流ID 6 脉冲漏极电流1)IDM 20 一个 TA = 25啊 C 1.6 最大功耗 TA = 75 o C Pd 1 W 操作结和存储温度范围TJ,测试-55 - 150 o C Junction-to-Ambient热阻(PCB安装)2)RθJA 78 o C / W 1234 8765 D1 S1 S1 G1 D2 S2 S2 G2 毫米毫米 REF。 分钟。马克斯。 REF。 分钟。马克斯。 1.20马克斯。E1 A2 0.80 1.05 0.45 b C 0.90 - 0.20 D 2.90 - 3.00 。A1 0.05 - 0.15 0.19 - 0.30 6.40 E二元同步通信 4.30 - 4.50 0.65 e二元同步通信 θ0°10° L 0.75 TSSOP-8 笔记 脉冲宽度限制最大连接
PT8205 MOS
20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
qq 541777848
