大家好，能帮忙推导一下IGBT导通损耗的计算公式吗，关键不是很理解为什么要乘以占空比，知道不乘占空比又不对，但是总是不能理解的很顺畅，希望能帮忙严谨的推导一下
占空比*周期，是指电流流过IGBT对应的时间吧。
损耗可以看出P=UI。
http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/files/manuals/powermos3_0.pdf
这个文档的3.9/3.10讲了。
在网上找到了一篇国外的论文，详细得讲述了导通损耗的推导过程，我将该文档上传供大家学习，谢谢大家对该问题的关注！
/upload/community/2020/03/30/1585529034-38335.pdf
