半桥驱动波形和变压器原边波形

LV.1

2020-05-28 12:23

测量上管需要隔离，因为当示波器的探头夹到S的时候，另一个探头加到下管S，这样上管S通过示波器内部与地链接了，导致Vgs电压增大，因为是G与地的电压，导致击穿

LV.1

2020-05-29 10:05

@dy-g3Gxyp52

如果测半桥的变压器原边电压波形，是不是也需要用隔离探头？

LV.1

2020-05-29 12:43

@dy-pnIwBsbI

如果测半桥的变压器原边电压波形，是不是也需要用隔离探头？

如果只使用一个通道，示波器的电源地线不要接用一般探头也可以，但是不要用另一个通道测量其他信号

LV.1

2020-05-29 15:22

@dy-g3Gxyp52

如果只使用一个通道，示波器的电源地线不要接用一般探头也可以，但是不要用另一个通道测量其他信号

见识了，谢谢

LV.1

2020-05-29 15:38

@dy-pnIwBsbI

见识了，谢谢

今天测量结果，下管关断后变压器原边波形振荡，是什么原因引起的？是变压器的漏感太大，还是走线不合理？怎么消除呢？

这是新变压器的波形，原边21匝，电感量0.7mH，漏感2.6uH。副边7匝，带中心抽头

本来有走线截图的，结果上传走线图片后，提示含有违禁词，禁止提交。。。

LV.1

2020-05-29 18:47

@dy-g3Gxyp52

主电路上传一张看一下

/upload/community/2020/05/30/1590801286-88079.pdf

LV.1

2020-05-30 09:15

@dy-g3Gxyp52

主电路上传一张看一下

附件是我根据调试结果整理的电路图。请查看

电路图和调试电路板实物附件所示

/upload/community/2020/05/30/1590802017-41290.docx

/upload/community/2020/05/30/1590810787-64618.pdf

LV.1

2020-05-30 11:53

@dy-pnIwBsbI

附件是我根据调试结果整理的电路图。请查看/upload/community/2020/05/30/1590801286-88079.pdf电路图和调试电路板实物附件所示/upload/community/2020/05/30/1590802017-41290.docx

附件是原边并联RC后的测试波形

LV.1

2020-05-30 20:27

@dy-pnIwBsbI

我简单看了一下你的电路，先说一下这个电压尖峰怎么出现的，当MOS关断的时候，变压器初级电流会对管子的DS极电容充电，由于这个电容很小，电压很快会充满，还会继续上升，只有当电压达到直流母线电压的时候上管的二极管才会开通，电压才能钳位到直流母线电压，这个电压能过冲多少可以估算一下，就是变压器漏感的能量要全部转移到DS极电容中，可以计算这个电压过冲。

我看了你的MOS管的参数你可以降低管子的关断速度，就是把Rg电阻增大，死区时间1us很大了，可以减小，或者把下管的DS极并联一个小电容。

LV.1

2020-06-01 10:03

@dy-g3Gxyp52

先谢过了，我试验下，把测量结果发出来，

/upload/community/2020/06/01/1590993732-13155.docx

LV.1

2020-06-01 14:42

@dy-pnIwBsbI

先谢过了，我试验下，把测量结果发出来，

我在输出整流桥并联了22Ω+10nF。出现关断后有一个很宽的阻尼振荡。被体二极管钳位。

然后在原边并联50Ω+20nF后，调压器输出150V，50Ω电阻很快变黑。换成10K电阻后再没有发现变黑。

在下管的DS并联1nF，0.5nf,0.3nf电容后，出现上管导通时下管也接近导通。

见附件图3

LV.1

2020-06-01 18:26

@dy-pnIwBsbI

我在输出整流桥并联了22Ω+10nF。出现关断后有一个很宽的阻尼振荡。被体二极管钳位。然后在原边并联50Ω+20nF后，调压器输出150V，50Ω电阻很快变黑。换成10K电阻后再没有发现变黑。在下管的DS并联1nF，0.5nf,0.3nf电容后，出现上管导通时下管也接近导通。见附件图3/upload/community/2020/06/01/1590993732-13155.docx

你的那个黄色是上管gs电压吗，那蓝色是那个电压，当原边并联RC的时候，R要消耗功率，P=(1/2*C*V^2)*f, f是工作频率，每一次都要通过R对电容充电，当电阻是10K的时候，时间常数RC=200us,这个时间常数应该比你的开关周期大很多了，在一个工作周期电容是没有充多少电，所以V很小，所以R上消耗的功率减小，就不会烧了，要想让C充满电，那RC<1/3T,T是你电路的工作周期。当上管导通的时候，下管的D极电压变化，这个变化率会在下管的g极产生一个电压，你可以测一下这个电压有多少，看是否大于VT了，我的建议是两个管子的Rg电阻都增大一点，16欧姆有点小

LV.1

2020-06-02 07:59

@dy-g3Gxyp52

感谢回帖

1.黄色波形是下管对地驱动信号(DC耦合）。蓝色是变压器上端对地信号(AC耦合)。

2.栅极电阻已经改成33Ω了

3.我再试下

LV.1

2020-06-08 08:56

@dy-g3Gxyp52

我按照您提供的计算方法，发现使用22nF时，电阻消耗的功率=36W，就不奇怪2W的电阻会烧毁。我用33nF+4个100R/5W电阻组成一个100R电阻，4个电阻在输入高压后都被烧黑了。应该换更小的电容，以减小电阻消耗的功率，并考虑T>3RC？

如使用1nF时，电阻消耗的功率=1/2*1n*300*300*40K≈2W。按照R

2020-06-08 10:15

@dy-pnIwBsbI

今天测量结果，下管关断后变压器原边波形振荡，是什么原因引起的？是变压器的漏感太大，还是走线不合理？怎么消除呢？[图片]这是新变压器的波形，原边21匝，电感量0.7mH，漏感2.6uH。副边7匝，带中心抽头[图片]本来有走线截图的，结果上传走线图片后，提示含有违禁词，禁止提交。。。

轻载时这种波形很正常啊，没什么问题。

LV.1

2020-06-11 13:32

@qinzutaim

轻载时这种波形很正常啊，没什么问题。

可是上电后磁芯发热很快。今天又测了下，上电后十分钟内，使用红外枪测量得到磁芯温度从室温约28℃上升到90℃。

2020-06-12 08:09

@dy-pnIwBsbI

可是上电后磁芯发热很快。今天又测了下，上电后十分钟内，使用红外枪测量得到磁芯温度从室温约28℃上升到90℃。

空载温升还是带载温升？带载的话就是变压器设计或整机散热的问题了。

/upload/community/2020/06/12/1591952027-29509.pdf

LV.1

2020-06-12 16:56

@qinzutaim

空载温升还是带载温升？带载的话就是变压器设计或整机散热的问题了。

多谢回复

我在输出端接了个10K/2W金属膜电阻作为负载。最高输出42V。

还做了一个原边21匝，7根0.5，副,7匝，5根0.5，原边电感量0.2mH(这个电感量是不是太小了？)。波形也是这样。磁芯升温很快。

之前有做过一个2.8mH的变压器。原边29匝，2根0.5，副边7匝，3根0.5，同样的负载，磁芯只有微弱的温升，但是波形很烂，关断期间有幅度很大的振荡波形。

请问这是什么原因产生的呢？是漏感和MOS的电容产生了谐振？该怎么消除呢？

2020-06-12 17:00

@dy-pnIwBsbI

多谢回复我在输出端接了个10K/2W金属膜电阻作为负载。最高输出42V。还做了一个原边21匝，7根0.5，副,7匝，5根0.5，原边电感量0.2mH(这个电感量是不是太小了？)。波形也是这样。磁芯升温很快。之前有做过一个2.8mH的变压器。原边29匝，2根0.5，副边7匝，3根0.5，同样的负载，磁芯只有微弱的温升，但是波形很烂，关断期间有幅度很大的振荡波形。/upload/community/2020/06/12/1591952027-29509.pdf请问这是什么原因产生的呢？是漏感和MOS的电容产生了谐振？该怎么消除呢？

什么变压器啊？21匝只有200uH ？这类变压器一般不用开气隙的。轻载波形都会振荡的。

LV.1

2020-06-12 19:33

@qinzutaim

什么变压器啊？21匝只有200uH ？这类变压器一般不用开气隙的。轻载波形都会振荡的。

谢谢回复，

1.这个变压器(200uH)的原边分为两层绕，内层3根，外层4根。测量原边电感量200uH。我当时把外层绕组去掉，测电感量有2.8mH。应该是外边这一层绕组的问题。

2.这个振荡波形也正常吗？意思是加大负载后振荡会自动衰减？我再找个更大的负载试下看。

3.这个磁芯没有磨气隙，也没有垫气隙。买来后直接装的