碳化硅MOSFET和SiC模块ASC30N1200M/ASC60N1200M/ASC60N900M/ASC120N900M/ASC60N650M/ASC120N650M,20A-120A/650V--1200V，电动汽车充电桩,DC-AC逆变器,高压DC / DC转换器,开关电源,功率因数校正模块,电机驱动,超大功率电源，Rohm罗姆、科锐Cree/Ixys

一：方案名称：ASC30N1200M/ASC60N1200M/ASC60N900M/ASC120N900M/ASC60N650M/ASC120N650M（SiC）MOSFET/20A/30A/60A/120A/650V-900V-1200V

二：方案品牌：AST（自主研发）    

三：方案功能及特点:低速高速开关电容;低阻抗（高）阻断电压高;使用标准门驱动器轻松驾驶;100％雪崩测试;最高结温150℃;符合ROHS标准

四：方案描述

ASC30N120MT3碳化硅（SiC）MOSFET采用全新技术，可提供卓越的开关性能与硅相比，性能和可靠性更高。 此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷。 因此，系统的好处包括最高的效率，更快的工作频率，更高的功率密度，更低的EMI，以及减小系统尺寸.  TO-247-3L和TO-247-4L                                                                                                             五：应用范围:电动汽车充电,DC-AC逆变器,高压DC / DC转换器,开关电源,功率因数校正模块,电机驱动，超大功率电源                        碳化硅（SiC）MOSFET产品规格书                                                                                             六：联系方式 Mobile： 15919711751微信同步 或QQ641226513 提供技术支持