1：RM9001DA(DB)简介
RM9001DB 是在 RM9001DA 的基础上改变封装形式，目的是在多颗芯片并联的时
候，可以尽可能减少外围的 0R 跳线电阻。RM9001DA 可以应用在小功率的有谐波要求的
方案上，成本较 RM9001DB 便宜，大功率投光灯方案建议使用 RM9001DB-ESOP16 方案，
系统成本更低。
芯片具有功率补偿功能，可以实现高压（180V-260V）,低压（90V-150V）输入电
压变化时，功率保持恒定。
芯片输出电流为正弦电流波形，THD 参数可以满足 IEC-61000-3-2(C 级)要求。
芯片过温保护点（130℃），表面温度。
2:封装方案
封装形式：RM9001DA - ESOP8，RM9001DB - ESOP16
3:RM9001DA 原理图
4.RM9001DA(DB)功率调整
5. RM9001DA(DB) 雷击浪涌设计
箔的宽度不要超过 LED 焊盘宽度，如下图：
（EC1），容量 103/500V（or）1000V，可以提高 IC 的抗雷击能力。
RM9001DA（DB）调整输入功率仅仅通过调整一个电阻就可以，如图中 CS1.计算方法如下
交流输入端 FR1（保险电阻），可以根据实际客户要求，决定是否需要添加，主要目
的是安规需要。
交流输入端串联的抗浪涌保护线绕电阻，如图 FR2,FR3,可以明显改善抗雷击浪涌，
阻值越大，效果越明显，但是电阻越大，功耗也越大。根据输入电流，以计算，选取合适阻
值和功率的抗浪涌保护线绕电阻，并留适当的裕量。
大功率应用时，如果要通过更高要求的浪涌电压，可以采取使用两级压敏，如:前级
使用 14D471,后级使用 10D471 方案。
大功率投光灯方案，L N->PE 也会有要求，线对壳体的耐压测试主要考验的是铝基
板的耐压，对铝基板的耐压要求很高，如果要测试 L N->PE，可以考虑使用高耐压的铝基
板，或者考虑在壳体和铝基板之间增加导热硅胶垫。
大功率投光灯方案在抗雷击能力和传导（EMI）方面，LED 及芯片的引脚铜箔面积增
加会导致抗雷击和传导（EMI）数据变差，在线路板布板的时候，保证通过电流的情况下铜
大功率投光灯应用时可以在芯片（RM9001DA）5 号脚对地接一个高压贴片电容
6.RM9001DA(DB) 230V 15W 传导测试数据
RM9001DA（DB） 方案应用不需要添加任何外围器件，传导辐射可以通过，并且裕
量很大。
