1.方案介绍
亚成微电子基于CCM/QR反激控制芯片RM6601SN+同步整流芯片RM3410T的高功率密度 65W GaN快充方案,具有体积小、效率高(效率Max >93%)、待机功耗低(功耗<60mW)、成本低等特点,采用专有驱动技术,直驱E-MODE GaN功率器件,省去外置驱动器件,并通过高度集成的芯片设计以及巧妙的结构组合,实现了精简的外围电路和紧凑的PCB布局,有效的提高了产品效率及功率密度(尺寸: 62mm(L)x30mm(W)x23mm(H),功率密度达到了1.52W/cm³ ),帮助快充电源厂商加速大功率快充量产并节省物料成本。
2.方案特点
■ 输出规格:5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3.25A;■ 效率(Max)>93%,待机功耗<60mW,满足六级能效标准,EMI特性优良;■ 采用专有驱动技术,直驱E-MODE GaN功率器件,提高产品效率及功率密度,简化EMI滤波电路设计,降低EMI器件成本;■ 支持CCM/QR混合模式;■ 支持最大140KHz工作频率;■ 内置700V高压启动,集成X-CAP放电功能;■ 低启动电流和低工作电流设计;■ 内置特有抖频技术改善EMI;■ Burst Mode去噪音;■ 集成斜坡补偿及高低压补偿功能;■ 集成AC输入Brown out/in功能;■ 外置OVP保护,具有输出肖特基短路保护/CS短路保护;■ 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。
3.方案原理图
4.待机功耗
5.能效测试
6.温升测试
7.EMI测试
5V/3A(L)1
5V/3A(N)
20V/3A(L)
20V/3A(N)
亚成微电子 QQ:181921417
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