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關於氮化鎵MOS管的問題.

氮化鎵MOS替換普通MOS,有並聯一個二極管,但還是會炸管,懷疑是LAOUT問題,誰有關於這個layout的注意事項可以分享一份?謝謝大神
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XHH9062
2
2021-03-02 13:55
是不是热处理没做好，如果是，加大铜的放置区域，并增加热通孔，还有就是环路越短越好
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lkings
LV.6
3
2021-03-02 14:22
@XHH9062
是不是热处理没做好，如果是，加大铜的放置区域，并增加热通孔，还有就是环路越短越好
不是,應該是layout沒搞好,但不知道具體問題在哪裡
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XHH9062
4
2021-03-02 15:23
@lkings
不是,應該是layout沒搞好,但不知道具體問題在哪裡
看下是不是安规距离问题
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lkings
LV.6
5
2021-03-03 11:16
@XHH9062
看下是不是安规距离问题
不是,是驅動電路走線問題,有一邊有一個過孔,氮化鎵對Ciss電容比較敏感,至于為什麽,不知道有沒有大神知道.唉,去年的直播沒看,不然可能那里會講
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glf680409
LV.8
6
2021-03-12 13:48

替代是要改板的  飞线替做实验都难，很容易炸机。

GaN MOS现在价格已低到Cool MOS的价格了。可以大量开整了。

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aiddy.tan
LV.6
7
2021-03-17 18:56
@glf680409
替代是要改板的 飞线替做实验都难，很容易炸机。GaNMOS现在价格已低到CoolMOS的价格了。可以大量开整了。

这个郭总最有发言权了，整点资料看下。

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lkings
LV.6
8
2021-03-18 08:17
@glf680409
替代是要改板的 飞线替做实验都难，很容易炸机。GaNMOS现在价格已低到CoolMOS的价格了。可以大量开整了。
支持整点资料来看看
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取名难
LV.1
9
2021-03-18 22:53
大哥你氮化镓是应用在什么电源上?是快充吗.
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pzg1989
LV.4
10
2021-03-19 09:11
用氮化镓要特别小心，驱动线要尽可能短减小寄生电感和寄生电容，还有你的这款氮化镓是自带驱动电路的还是不带驱动电路的？如果是自带驱动电路注意下走线，如果是不带驱动电路的你就要在外围加驱动电路了，最好跟原厂FAE沟通一下
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lkings
LV.6
11
2021-03-19 09:47
@取名难
大哥你氮化镓是应用在什么电源上?是快充吗.
不是,工业电源上用.要提高效率.
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lkings
LV.6
12
2021-03-19 09:48
@pzg1989
用氮化镓要特别小心，驱动线要尽可能短减小寄生电感和寄生电容，还有你的这款氮化镓是自带驱动电路的还是不带驱动电路的？如果是自带驱动电路注意下走线，如果是不带驱动电路的你就要在外围加驱动电路了，最好跟原厂FAE沟通一下
不知道市面上有没有这方面的书本介绍.FAE来了也没有解决.
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pzg1989
LV.4
13
2021-03-19 14:21
@lkings
不知道市面上有没有这方面的书本介绍.FAE来了也没有解决.
你要找原厂FAE，代理商那种FAE是没办法给你解决问题的。
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zhiyiyunmeng
LV.7
14
2021-03-19 15:13
驱动上不一样吧！
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pzg1989
LV.4
15
2021-03-19 15:48
@lkings
不知道市面上有没有这方面的书本介绍.FAE来了也没有解决.
这张是有内置驱动氮化镓外围引脚，这张是没有内置驱动的GaN外围接法，也就是在外围加驱动电路。
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powerpcb54
LV.5
16
2021-03-20 16:48
@lkings
不是,工业电源上用.要提高效率.
我也有这想法，把一些功率大的MOS用GAN替换掉。
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glf680409
LV.8
17
2021-03-25 21:00
@aiddy.tan
这个郭总最有发言权了，整点资料看下。[图片]

资料怎么给你呢 

 我是代理英诺赛科的，目前GaN主要用于PD电源上，当然射频等高频产品上也用的更多。

有想资料的可以发邮件给我，邮箱glf680409@163.com

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glf680409
LV.8
18
2021-03-25 21:00
@powerpcb54
我也有这想法，把一些功率大的MOS用GAN替换掉。
有兴趣可以找我  
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glf680409
LV.8
19
2021-03-25 21:03

国内投资100亿做GaN的品牌 只有英诺赛科一家，自产晶元，全球第一家用8寸做的。

有兴趣的私聊  价格目标平齐CoolMOS

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电源方案Q1445180565
LV.4
20
2021-03-26 09:55
@glf680409
国内投资100亿做GaN的品牌只有英诺赛科一家，自产晶元，全球第一家用8寸做的。有兴趣的私聊 价格目标平齐CoolMOS

氮化镓和碳化硅 MOSFET应用建议

（1）所应用系统由于某些原因必须工作于超过200KHz以上的频率，首先碳化硅MOSFET，次选氮化镓晶体管；若工作频率低于200KHz，两者皆可使用；

（2）所应用系统要求轻载至半载效率极高，首先氮化镓晶体管，次选碳化硅MOSFET；

（3）所应用系统工作最高环境温度高，或散热困难，或满载要求效率极高，首选碳化硅MOSFET，次选氮化镓晶体管；

（4）所应用系统噪声干扰较大，特别是门极驱动干扰较大，首选碳化硅MOSFET，次选氮化镓晶体管；

（5）所应用系统需要功率开关由较大的短路能力，首选碳化硅MOSFET；

（6）对于其他无特殊要求的应用系统，此时根据散热方式，功率密度，设计者对两者的熟悉程度等因素来确定选择哪种产品。

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yuan33323332
LV.4
21
2021-03-28 15:51
@glf680409
国内投资100亿做GaN的品牌只有英诺赛科一家，自产晶元，全球第一家用8寸做的。有兴趣的私聊 价格目标平齐CoolMOS
氮化镓驱动应该加拉电流的吧
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