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INN3274C设计的12V/1A电源

    电源基于INN3274C设计的，输入电源90~265VAC，12V/1A、12W持续输出，平均效率大于85%，空载损耗小于70mW,该设计中降低漏感可以显著提高效率，夹层绕组用于将漏电感降低到小于5μH，为了提高效率，还必须选择具有较低传导损耗的有源器件，同时INN3274C可以实现精确的恒压恒流恒功率输出控制， FluxLink反馈技术，HIPOT隔离，具备欠压过压过流保护及过热关断功能，如果采用内部集成一个750V的氮化镓开关管的型号，能够达到更大的设计功率和效率.

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svs101
LV.8
2
2021-08-09 17:50

PI的专利技术FluxLink通信隔离技术，可提供非常大的通信带宽，实现极快的负载瞬态响应。

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奋斗的青春
LV.10
3
2021-08-09 19:08

在PI高度集成的离线反激式开关IC中，PowiGaN开关替代初级侧的传统硅晶体管，从而降低开关损耗。

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spowergg
LV.10
4
2021-08-09 21:23
@svs101
PI的专利技术FluxLink通信隔离技术，可提供非常大的通信带宽，实现极快的负载瞬态响应。

INN3274C使用了同步整流MOSFET，对于负载电流的变化相对不太敏感。

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xxbw6868
LV.9
5
2021-08-09 21:36
@spowergg
INN3274C使用了同步整流MOSFET，对于负载电流的变化相对不太敏感。

集成的同步整流电路还可以降低交叉调整率对其他输出的影响。

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beakline
LV.6
6
2021-08-09 21:40
@奋斗的青春
在PI高度集成的离线反激式开关IC中，PowiGaN开关替代初级侧的传统硅晶体管，从而降低开关损耗。

采用了比使用肖特基整流二极管性能更好的同步整流的InnoSwitch电路，效率更高。

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trllgh
LV.9
7
2021-08-09 21:47

还提供全面的输入电压异常保护功能和快速的动态响应特性。

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大海的儿子
LV.10
8
2021-08-09 22:19
@xxbw6868
集成的同步整流电路还可以降低交叉调整率对其他输出的影响。

同步整流电路具有很多优势，但是MOS的开关时序的确定不好控制。

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dianre888
LV.6
9
2021-08-09 22:35
@大海的儿子
同步整流电路具有很多优势，但是MOS的开关时序的确定不好控制。

MOS含有一个寄生的体二极管，在同步整流的应用当中，MOSFET会在死区时间内导通。

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cb_mmb
LV.8
10
2021-08-10 09:10
@beakline
采用了比使用肖特基整流二极管性能更好的同步整流的InnoSwitch电路，效率更高。

肖特基二极管的正向电压降对电流比较敏感因此正向电压降随着负载电流的增大而升高。

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lx25hb
LV.8
11
2021-08-10 09:15
@trllgh
还提供全面的输入电压异常保护功能和快速的动态响应特性。

其反馈设计采用专有的FluxLink耦合方案，极大地简化了低压高电流电源的开发和生产。

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uf_1269
LV.8
12
2021-08-10 09:25
@dianre888
MOS含有一个寄生的体二极管，在同步整流的应用当中，MOSFET会在死区时间内导通。

体二极管具有较慢的关断特性和较大的正向电压降，因此会使效率降低1%到2%。

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dbg_ux
LV.9
13
2021-08-10 09:50
@cb_mmb
肖特基二极管的正向电压降对电流比较敏感因此正向电压降随着负载电流的增大而升高。

初级侧稳压无法控制多路输出，因此当控制器通过调整初级输出来对电压降的升高进行补偿时，其他输出的电压会升高。

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kckcll
LV.9
14
2021-08-10 09:56
@uf_1269
体二极管具有较慢的关断特性和较大的正向电压降，因此会使效率降低1%到2%。

用一个肖特基二极管与同步整流MOS的体二极管进行并联，可防止体二极管导通和减小效率损失。

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原来会员名可以很长的
LV.9
15
2021-08-12 13:51
@spowergg
INN3274C使用了同步整流MOSFET，对于负载电流的变化相对不太敏感。

设计电源应用中能够实现90%的效率，同时将空载功耗降到30mW以下。

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svs101
LV.8
16
2021-08-16 18:21
@大海的儿子
同步整流电路具有很多优势，但是MOS的开关时序的确定不好控制。

同步整流电路的设计内部集成好，外部自己设计有时候调试麻烦的很

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