碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高，运行速度更快，并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管，具有优越的性能和极高的工作效率。
B1D02065E 是一款 650V2A6.8nC碳化硅肖特基二极管可兼容 C3D02065E 更优越的性能，零开关损耗，提高效率，降低解决方案成本，功率密度增加，实现更高的开关频率，减少对散热器的需求，减少电磁干扰。
产品特性：
1. 极低反向电流
2. 无反向恢复电流
3. 温度无关开关
4. VF上的正温度系数
5. 卓越的浪涌电流能力
6. 低电容电荷
优势：
1.零开关损耗
2.硅二极管系统效率的提高
3.功率密度增加
4.实现更高的开关频率
5.减少对散热器的需求
6.由于更小的磁性，系统成本节约
7.减少电磁干扰
广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。
