CR5159TN 芯片特性：
CR5159TN是采用内置650V高压功率MOSFET，反激式PWM功率开关；
内置软启动，减小MOSFET的应力；
内置同步斜坡补偿电路，消除次谐波振荡；
65kHz开关频率，具有频率抖动功能，使其具有良好的EMI特性；
全电压输入范围，待机功耗:< 75mW；
具有“软启动、OCP、SCP、OTP、OVP自动恢复等保护功能；
电路结构简单、较少的外围元器件，适用于小功率AC/DC电源适配器、充电器；
CR5159TN还提供VDD电压从8.5V至36.5V更宽的工作范围。
CR85V25RS芯片特性：
支持CCM&QR&DCM工作模式；
内置85V功率MOS管；
可自供电，支持正端/负端应用；
精确的外围电路；
VCC欠压保护；
最大支持150kHz工作频率。
CR5159TN和CR85V25RS能适用于宽输入电压范围，输出功率27W方案，输出9V3A的工程样机。
该样机大小73.8mm×36.8mm，AC264V输入待机功耗<75mW，平均效率>87.3%，能够满足“能源之星 V2.0 VI 级能效”与欧洲 COCT2 标准；具有“OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO ”等多种保护功能；软启动功能可以 减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计，CR5159TN还提供VDD电压从8.5V至36.5V更宽的工作范围。样机的变压器，采用了EE22加宽磁芯（PC95材质），变压器绕制工艺部分，请见后文详细说明。
