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NCP361SNT1G 带内部 PMOS FET 和过电流保护 过电压保护电路

NCP361SNT1G能够在检测到错误 VBUS 运行情况时将系统从其输出引脚断开。该系统受高达 +20 V 的正向过电压保护。由于集成的 PMOS FET,无需外部器件,降低了系统成本和应用主板中的 PCB 面积。如果输入电压超过过电压阈值 (OVLO),NCP361 则能够瞬变将输出与输入断开。由于过电流保护,当充电电流超过电流限值时,集成的 PMOS 将关断。提供了负向标志 (FLAG) 输出,发生故障时会向系统发出警告。另外,该器件还具有 ESD 保护输入 (15 kV Air),使用 1.0 µF 或更大电容器进行旁路联接。

特性:

1.非常快的保护,高达20 V,电流消耗为25μA

2.片上PMOS晶体管

3.热关机

4.过电流保护

5.警报标志输出

6.欠压锁定(UVLO)

7.过压锁定(OVLO)

8.典型OVLO设置为5.675 V

9.典型的UVLO设置为3.0 V

10.典型的OCP设置为750 mA

11.EN启用引脚

12.无需外部设备

13.由于该引脚,OVP设备可以被迫处于关闭状态

14.当超过内部结温度时,pass元件关闭

应用领域:

手机,MP3播放器

USB设备

机顶盒

打印机

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