各位大侠 ,我在一篇文章中看到, 关于有源铅位+自驱动同步整流技术(以单端正激而言)需注意以下两点;
1:采用自驱动同步整流会将噪声引入到可以接受的单元中.还会给各个组件上产生电压,导致FET栅极击穿,或导致超出漏-源电压的雪崩能量.这种情况会出现在一次侧或二次侧.
2:输出电容中存储的能量将会在FET中或传输回输入端时耗散掉.能量的耗散通常是由两者共同完成的.此外,这还说明这类电路绝不能用于负载共享结构.如果将这中电路用于没有二极管隔离且一个转换器处于关闭状态的结构中,转换器输出将不工作,并一直振荡直至部件损坏.
对于以上两点,不知各位大侠怎么看.大家讨论讨论
