小弟第一次做开关电源,打算选用DC-DC芯片做,
我是12V输入,-,+16V/2A 输出
发现做DC-DC的NMOS管有一个特点
就是低的导通电阻和低的Qg,logic level
一般我看到如果用DC-DC芯片做电源的话都用SO-8封装的,都是针对DC-DC转换优化了的~~~包括出大电流与大功率的很多都用那种SO8的NMOS,
但是同时也有一些参数和价格和SO8差不多的也是低导通电阻,低Qg,logic level的DPAK,与D2PAK的NMOS管,我想问一下,一般使用哪种较好一点??
我看到一般的demo板上都用SO8封装的,总觉得SO8的出大功率不太靠谱~~~~
谢谢~~~
如果我不用那种SO8的用DPAK或者D2PAK的要注意什么?
是不是Qg这个参数影响了DC-DC以及NMOS的开关功耗?
还是NMOS的几个极的分布电容??
还有在开关电源中的电容如何选取?
看资料上说是要低ESR的
我现在的方法是用几个X7R的ceramic电容并联再与几个大的电解电容并联,来减小ESR,不知道可行不?
