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如何降低功率MOS的开关损耗

现在在做一款1000W的开关电源,方案为PFC＝IR1150S L＝560uH DC-DC＝ISL6752 变压器初级电感5mH,Power MOS=IRFP460  Power MOS drive＝IR2110,G极驱动电阻4.7ohm.
当开关频率为100K时,Power MOS的开关损耗非常大,PFC级30W,全桥DC-DC级60W.
现在出现一个问题急需高手指点!
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kenny-qin
LV.1
2
2008-10-06 09:16
怎么没有人回应?大侠都去云游了吗?
0
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nc965
LV.6
3
2009-02-01 16:52
你这个8错了,整体损耗才90W,效率过90%了
0
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log1
LV.8
4
2009-02-06 11:35
最简单的方法,换用COOLMOS吧,比如INFINEON的SPW32N50C3,估计损耗可以立即下降1/4强.
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晶熔铁
LV.7
5
2009-02-27 22:57
@log1
最简单的方法,换用COOLMOS吧,比如INFINEON的SPW32N50C3,估计损耗可以立即下降1/4强.
MOS管损耗大怎么不查G极波形\PCB布线\以及副边超快RC补偿等?
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lxsg
LV.2
6
2009-07-06 16:45
@log1
最简单的方法,换用COOLMOS吧,比如INFINEON的SPW32N50C3,估计损耗可以立即下降1/4强.
英飞凌的产品看起来很诱人哦,不过我想知道IR2110是否也引入了损耗,他的开关频率是不是低了?
0
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