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缓启动电路求助!急

可控硅缓启动电路为何在开机瞬间,可控硅已经导通,电容瞬间冲击大,空开跳闸,请高手帮忙解决,谢谢!电源输出功率1000w,整流后1200w.电路图如下:500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/70/37211223895542.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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sybxa
LV.4
2
2008-10-14 10:26
关注中
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kant.wang
LV.4
3
2008-10-14 10:57
@sybxa
关注中
看你电路,可控硅是由半桥耦合经V1,R2控制的,
因可控硅控制电压在2V左右,也就是说V1,R2的
速度电压要可控在2V左右的延时,这样R1就可以
起到限流了,R1用最好热敏,阻值是(大于:电压/
PK电流);V1可用慢速的,R3调用阻值尽可能大些
并用TT型滤波,C1尽可能小些,要加放电电阻
你可试试,应该委好作的
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kant.wang
LV.4
4
2008-10-14 10:59
@kant.wang
看你电路,可控硅是由半桥耦合经V1,R2控制的,因可控硅控制电压在2V左右,也就是说V1,R2的速度电压要可控在2V左右的延时,这样R1就可以起到限流了,R1用最好热敏,阻值是(大于:电压/PK电流);V1可用慢速的,R3调用阻值尽可能大些并用TT型滤波,C1尽可能小些,要加放电电阻你可试试,应该委好作的
**此帖已被管理员删除**
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hpower
LV.4
5
2008-10-15 14:33
@kant.wang
**此帖已被管理员删除**
v1=df06s,c1=47u,c2=0.1u,r2=120欧,R1=15欧,R3=150欧,C3=4×470u,R1为热敏电阻时经常出问题,所以换成可控硅并电阻形式.R2断开时,开机情况一样,可控硅40ms就导通了.帮忙分析你一下!谢谢!
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hpower
LV.4
6
2008-10-15 14:36
高手看一下
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kant.wang
LV.4
7
2008-10-24 21:15
@hpower
高手看一下
不好意思这两天忙没看到,
你的可控硅的控制电源回路是怎么接的,好象没看到与可控硅接成回路,要选择一个参考点为控制电源的地,让控制能形成回路电压.
另外,R2要接到电容前面,这样才能形成RC充电电路
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