场管发热的朋友来看一下

场管发热主要有2种形式:
  1,两边热．
  2,单边热．
两边热原因:
  1,场管大于3对,没有加图腾柱造成MOS驱动不足(结电容泻放不快),使MOS工作在线性放大状态．虽然MOS与三极管不同是电压驱动元件,但场管越多结电容越大,因为MOS对电压太敏感,这个小小的电容储存的一点点电压都足以使得MOS上升和下降沿波形不良．在MOS数量配置上要注意,尽量选结电容小压降小的产品,管多必须图腾驱动．
  2,变压器耦合不良,漏感大会产生很大的尖峰电压,这个电压回授到MOS和3525导致器件发热甚至击穿,进而爆管,滤波电容发热或爆炸也是此原因．

单边热原因:
  1,变压器绕制不合格,初级线圈长度相差过大,差值越大产生的尖峰电压越大结果导致一边热,重载烧单边MOS和3525,滤波电容发热或爆炸也是此原因．
  2,MOS到变压器初级的引线不对称,特别是MOS和变压器不在同一个板上的朋友要注意了!这个小的不对称效果媲美变压器的不对称,重载烧单边MOS和3525．



解决变压器漏感大和初级不对称的终极绕制方法:
1,骨架内层先平饶1-2层次极
2,将初级2组多芯线并列同向平绕X圈,取一组的头和另组的尾对接成为中间抽头．(保证初级同长度)
3,接续内层次级继续绕次级．

一点说明:这些都是做JJ的心得,是烧了N多MOS和3525得来,奉献给大家,希望有帮助．买JJ者别骂我,对于教会初哥对你们的生意之影响抱歉!