我打开很容易啊.
“
5金刚石技术
上述各种加固技术还不能完全满足高强度、大剂量辐射环境的要求,其原因仍是材料本身的问题.最近几年,人们发现了金刚石材料,它具有其他电子材料无法比拟的特性,击穿电压高达3.5×106V/cm,饱和电子迁移率高达2.5×107cm/s,热导率高达1100W/m·K,几乎是高纯铜的3倍,介电系数只有5.7,适合制作高频、大功率、高温和抗辐射能力强的微电子器件,是抗辐射加固的理想材料.
由于金刚石材料不受热效应的限制,所以用金刚石材料制作集成电路不仅能实现高集成度,而且可在600~700℃的高温下工作,并具有特别强的抗辐射能力.例如用这种材料制作的FET,可在510℃下工作,热敏电阻可在600℃下工作,肖特基二极管可在700℃下工作.因而,金刚石材料制作的器件可以直接装入飞机引擎和核反应堆中进行性能监控,不用担心在高温和核辐射环境下性能恶化.由于金刚石器件能够大量减少控制热的系统或设备,所以适用于卫星等空间电子系统.大规模集成电路的优质材料的计算数据表明,金刚石材料比硅材料好32倍,微波和毫米波单片集成电路优质材料的计算数据表明,金刚石材料比硅材料好8200倍,比GaAs材料好1200倍.金刚石薄膜还是集成电路芯片所需的性能良好的表面钝化膜,能大大提高芯片的可靠性和稳定性.
由于金刚石材料具有上述特点,所以人们进行了大量的研究工作.美国在过去的4年中投资1300万美元研究金刚石材料,日本于1984年就投资2.5亿日元来实施使金刚石薄膜商品化的计划.日本专家预测2000年人造金刚石材料的市场将达到750万美元,到21世纪初,金刚石材料将作为一种重要的半导体材料发挥巨大的作用,金刚石器件将成为下一代抗辐射能力最强的器件.
”
