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1.了解磁性元件,特别是扼流圈的频率曲线.
2.了解机子频率的倍频与输出整流元件倍频,回路频率响应.
3.对晶体管(MOSFET,肖特基)的了解,不同的品牌有不同效果.
4.上面讲的回路频率响应,就是讲到LAYOUT了,注意初级地与次级地不必要大量的布大面积!初级整流后的正回路到变压器铜箔尽情变短,MOS到变压器铜箔尽量的短.使用BEAD要选到合适位置.
5.散热片的使用,用得好是屏闭,用得不好就是杂讯的天线,要注意的是接地方式.
6.对扼流器的选用,在成本的考虑内的话,可以在初级整流前进行两级电感滤波,一级对高频滤波一级进行500K以下频率进行滤波.
7.最后是最重要的:变压器,变压器有很多种绕制方法,有三明治绕法,有传统绕法,有先绕反馋馈绕组的绕法,都是异道同归,个人觉得对EMI最好的是三明治绕法;对耦合最好的是传统绕法;对保护最好的是先绕反馋馈绕组的绕法;而具体的先用还是由调机时最初决定,最好多绕几种方式,测试EMI时都带去测试,进行比较.再有就是包屏闭铜箔,取决还是实测时进行选用包制方式,值得一提的是,一般人包铜箔的引出线都是焊在铜箔的一头,但我进行试过,把引出线焊在铜箔的中间效果更好!还有就是引出线接在那里的问题,方法可以接次级地与初级地还有初级正,各种方法各位机友试试即知优劣!
好久没有上WB了,写上以上几点本人的经验之谈,可作笑耳,亦可做参考,只为回报兰波的盛情!
2.了解机子频率的倍频与输出整流元件倍频,回路频率响应.
3.对晶体管(MOSFET,肖特基)的了解,不同的品牌有不同效果.
4.上面讲的回路频率响应,就是讲到LAYOUT了,注意初级地与次级地不必要大量的布大面积!初级整流后的正回路到变压器铜箔尽情变短,MOS到变压器铜箔尽量的短.使用BEAD要选到合适位置.
5.散热片的使用,用得好是屏闭,用得不好就是杂讯的天线,要注意的是接地方式.
6.对扼流器的选用,在成本的考虑内的话,可以在初级整流前进行两级电感滤波,一级对高频滤波一级进行500K以下频率进行滤波.
7.最后是最重要的:变压器,变压器有很多种绕制方法,有三明治绕法,有传统绕法,有先绕反馋馈绕组的绕法,都是异道同归,个人觉得对EMI最好的是三明治绕法;对耦合最好的是传统绕法;对保护最好的是先绕反馋馈绕组的绕法;而具体的先用还是由调机时最初决定,最好多绕几种方式,测试EMI时都带去测试,进行比较.再有就是包屏闭铜箔,取决还是实测时进行选用包制方式,值得一提的是,一般人包铜箔的引出线都是焊在铜箔的一头,但我进行试过,把引出线焊在铜箔的中间效果更好!还有就是引出线接在那里的问题,方法可以接次级地与初级地还有初级正,各种方法各位机友试试即知优劣!
好久没有上WB了,写上以上几点本人的经验之谈,可作笑耳,亦可做参考,只为回报兰波的盛情!
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@marsom
1.了解磁性元件,特别是扼流圈的频率曲线.2.了解机子频率的倍频与输出整流元件倍频,回路频率响应.3.对晶体管(MOSFET,肖特基)的了解,不同的品牌有不同效果.4.上面讲的回路频率响应,就是讲到LAYOUT了,注意初级地与次级地不必要大量的布大面积!初级整流后的正回路到变压器铜箔尽情变短,MOS到变压器铜箔尽量的短.使用BEAD要选到合适位置.5.散热片的使用,用得好是屏闭,用得不好就是杂讯的天线,要注意的是接地方式.6.对扼流器的选用,在成本的考虑内的话,可以在初级整流前进行两级电感滤波,一级对高频滤波一级进行500K以下频率进行滤波.7.最后是最重要的:变压器,变压器有很多种绕制方法,有三明治绕法,有传统绕法,有先绕反馋馈绕组的绕法,都是异道同归,个人觉得对EMI最好的是三明治绕法;对耦合最好的是传统绕法;对保护最好的是先绕反馋馈绕组的绕法;而具体的先用还是由调机时最初决定,最好多绕几种方式,测试EMI时都带去测试,进行比较.再有就是包屏闭铜箔,取决还是实测时进行选用包制方式,值得一提的是,一般人包铜箔的引出线都是焊在铜箔的一头,但我进行试过,把引出线焊在铜箔的中间效果更好!还有就是引出线接在那里的问题,方法可以接次级地与初级地还有初级正,各种方法各位机友试试即知优劣! 好久没有上WB了,写上以上几点本人的经验之谈,可作笑耳,亦可做参考,只为回报兰波的盛情!
老兄,想必也是电磁兼容的高手了.
希望老兄常来,代谢好的东西,和广大网友共同分享.
老弟的技术设备有限,不能发一些自己的经验之作,希望老兄能弥补不足.
替广大网友谢谢了.
希望老兄常来,代谢好的东西,和广大网友共同分享.
老弟的技术设备有限,不能发一些自己的经验之作,希望老兄能弥补不足.
替广大网友谢谢了.
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@marsom
1.了解磁性元件,特别是扼流圈的频率曲线.2.了解机子频率的倍频与输出整流元件倍频,回路频率响应.3.对晶体管(MOSFET,肖特基)的了解,不同的品牌有不同效果.4.上面讲的回路频率响应,就是讲到LAYOUT了,注意初级地与次级地不必要大量的布大面积!初级整流后的正回路到变压器铜箔尽情变短,MOS到变压器铜箔尽量的短.使用BEAD要选到合适位置.5.散热片的使用,用得好是屏闭,用得不好就是杂讯的天线,要注意的是接地方式.6.对扼流器的选用,在成本的考虑内的话,可以在初级整流前进行两级电感滤波,一级对高频滤波一级进行500K以下频率进行滤波.7.最后是最重要的:变压器,变压器有很多种绕制方法,有三明治绕法,有传统绕法,有先绕反馋馈绕组的绕法,都是异道同归,个人觉得对EMI最好的是三明治绕法;对耦合最好的是传统绕法;对保护最好的是先绕反馋馈绕组的绕法;而具体的先用还是由调机时最初决定,最好多绕几种方式,测试EMI时都带去测试,进行比较.再有就是包屏闭铜箔,取决还是实测时进行选用包制方式,值得一提的是,一般人包铜箔的引出线都是焊在铜箔的一头,但我进行试过,把引出线焊在铜箔的中间效果更好!还有就是引出线接在那里的问题,方法可以接次级地与初级地还有初级正,各种方法各位机友试试即知优劣! 好久没有上WB了,写上以上几点本人的经验之谈,可作笑耳,亦可做参考,只为回报兰波的盛情!
"一般人包铜箔的引出线都是焊在铜箔的一头,但我进行试过,把引出线焊在铜箔的中间效果更好!"
没有自己动手包过,没有想明白怎么这句话
没有自己动手包过,没有想明白怎么这句话
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@hsw2000
现在没有扫描仪,不能给各位上传一份关于测过的EMC试验曲线,是在是很可惜.如果哪位仁兄有条件,也有emc关于传导、辐射的曲线,相信对开关电源略有了解的人,都会看明白
我这里有一个我做电源测试时的图片,不知道可不可以,我懂的不多500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/28/1112777300.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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@snnapple
我这里有一个我做电源测试时的图片,不知道可不可以,我懂的不多[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/28/1112777300.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
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@snnapple
我这里有一个我做电源测试时的图片,不知道可不可以,我懂的不多[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/28/1112777300.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
这幅图是一个传导曲线,
为给位解读一下:
1.该仪器的频率为250KHz.
2.一般的,开关电源在20次谐振后就开始衰减.加滤波器的时候,应该
考虑最高的谐振频率,加适当的滤波器,提高开关电源的效率.
3.测试曲线为民品的EMC_传导测试曲线.其中红线表示峰值测试曲线,
蓝线表示平均值测试曲线.
4.EMC的检测,需要至少1~3dB的余量.
为给位解读一下:
1.该仪器的频率为250KHz.
2.一般的,开关电源在20次谐振后就开始衰减.加滤波器的时候,应该
考虑最高的谐振频率,加适当的滤波器,提高开关电源的效率.
3.测试曲线为民品的EMC_传导测试曲线.其中红线表示峰值测试曲线,
蓝线表示平均值测试曲线.
4.EMC的检测,需要至少1~3dB的余量.
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@hsw2000
这幅图是一个传导曲线,为给位解读一下:1.该仪器的频率为250KHz.2.一般的,开关电源在20次谐振后就开始衰减.加滤波器的时候,应该 考虑最高的谐振频率,加适当的滤波器,提高开关电源的效率.3.测试曲线为民品的EMC_传导测试曲线.其中红线表示峰值测试曲线, 蓝线表示平均值测试曲线.4.EMC的检测,需要至少1~3dB的余量.
请问:仪器的频率为250KHz,怎么看出来的呀?
我去做测试,可是对于这个很迷糊的,就是在那里插上做,然后说过了,没过,就是这样的.
可否请大侠指点一二呀,要是在1M左右超过的很严重,需要修改哪里好一些呢?
我去做测试,可是对于这个很迷糊的,就是在那里插上做,然后说过了,没过,就是这样的.
可否请大侠指点一二呀,要是在1M左右超过的很严重,需要修改哪里好一些呢?
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@marsom
1.了解磁性元件,特别是扼流圈的频率曲线.2.了解机子频率的倍频与输出整流元件倍频,回路频率响应.3.对晶体管(MOSFET,肖特基)的了解,不同的品牌有不同效果.4.上面讲的回路频率响应,就是讲到LAYOUT了,注意初级地与次级地不必要大量的布大面积!初级整流后的正回路到变压器铜箔尽情变短,MOS到变压器铜箔尽量的短.使用BEAD要选到合适位置.5.散热片的使用,用得好是屏闭,用得不好就是杂讯的天线,要注意的是接地方式.6.对扼流器的选用,在成本的考虑内的话,可以在初级整流前进行两级电感滤波,一级对高频滤波一级进行500K以下频率进行滤波.7.最后是最重要的:变压器,变压器有很多种绕制方法,有三明治绕法,有传统绕法,有先绕反馋馈绕组的绕法,都是异道同归,个人觉得对EMI最好的是三明治绕法;对耦合最好的是传统绕法;对保护最好的是先绕反馋馈绕组的绕法;而具体的先用还是由调机时最初决定,最好多绕几种方式,测试EMI时都带去测试,进行比较.再有就是包屏闭铜箔,取决还是实测时进行选用包制方式,值得一提的是,一般人包铜箔的引出线都是焊在铜箔的一头,但我进行试过,把引出线焊在铜箔的中间效果更好!还有就是引出线接在那里的问题,方法可以接次级地与初级地还有初级正,各种方法各位机友试试即知优劣! 好久没有上WB了,写上以上几点本人的经验之谈,可作笑耳,亦可做参考,只为回报兰波的盛情!
個人認為三明治饒法EMI效果很差,增加了初次級的分布電容
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@snnapple
我这里有一个我做电源测试时的图片,不知道可不可以,我懂的不多[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/28/1112777300.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
这个准峰值都卡边啊!敢量产?
肖工 13724351985
肖工 13724351985
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