现在的电源体积和效率的要求越来原严格，电源的开关频率也越做越高，高开关频率又会引起电路的EMI问题。下图是一个反激电源的拓扑电路示意图，在设计过程中，反激电源的隔离变压器漏感是一直存在的，在MOSFET截止过程中，其漏极会存在一个电压尖峰，随着开关频率的提高，这个电压尖峰很高。一般情况下，工程师在MOSFET选型时，会选足够电压余量的开关MOSFET，但这样EMI的指标就不能满足。为了解决这个问题，建议在电路增加吸收电路，如图1的标记①和标记②，在漏极增加RCD吸收，或者在开关管的DS之间增加RC吸收来吸收电压尖峰。
按照增加吸收电路的方法，在基于PI的TOPswitch系列电源芯片设计一个15W的ACDC电源时，在开关的漏极增加RCD吸收，如下图所示，TOP254EN是一个内部集成耐压725V的MOSET电源芯片，在MOSFET的漏极增加了三个电阻R4=47Ω，R2=R3=150kΩ,电容C4=1nF/1kV和二极管D1 FR106的RCD吸收电路。
在处理高开关频率的反激电源EMI问题时，应当根据实际电路需求，增加必要的吸收电路，这样在可以保证电源效率的前提，也能满足电路EMI的性能指标。
