反激变换器在MOS关断的瞬间,由变压器漏感LLK与MOS管的输出电容造成的谐振尖峰加在MOS管的漏极,如果不加以限制,MOS管的寿命将会大打折扣。因此需要采取措施,把这个尖峰吸收掉。
下图是MOS管关断时漏极电压波形
反激变换器设计中,下图所示的电路常作为反激变换器的钳位吸收电路(RCD钳位吸收)。
但是3个元器件参数该如何选取呢,下面来看看它是怎么计算的。
Rclamp由下式决定,其中Vclamp一般比反射电压Vor高出50~100V,LLK为变压器初级漏感,以实测为准:
Cclamp由下式决定,其中Vripple一般取Vclamp的5%~10%是比较合理的:
二极管选型:输出功率比较小(20W以下)时,钳位二极管可采用慢恢复二极管,如1N4007;反之,则需要使用快恢复二极管。