TOLL（TransistorOutlineLeadless）封装的MOSFET，由于其封装形式具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点，已经在汽车电子、电力通信、锂电保护、户外电源等终端客户得到广泛使用。
TOLL 封装的占位面积与 TO-263-7L封装相比，PCB 面积可节省 30%。占用的体积比TO-263-7L封装小 50%。
除了尺寸更小外，TOLL 封装还提供比 TO-263-7引线更好的热性能和更低的封装电感 (2 nH)。其开尔文源配置确保更低的栅极噪声和开关损耗，与没有开尔文配置的器件相比，包括开启损耗 (EON) 降低 60%，确保在具有挑战性的电源设计中显著提高能效和功率密度，改善电磁干扰(EMI) 并更容易进行PCB 设计。
SGT MOSFET 低内阻 大电流 TOLL封装
1：N-MOS 85V-1.4mR-360A-TOLL封装
2：N-MOS 85V-1.85mR-300A-TOLL封装
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