相信很多工程师小伙伴都会有一个疑问：什么是宽禁带？有啥优势？
氮化镓（GaN）是一种“宽禁带”材料，因为它提供的电子带隙比硅大3倍，这意味着GaN可以处理10倍强的电场，并用非常小的芯片提供高功率。通过更小的晶体管和更短的电流路径，实现了超低电阻（RDS（on））和结电容（QGD、COSS、零Trr），使开关速度提高了100倍，具有比硅更高的击穿电压，开关和导通损耗较低。
电源研发工程师都知道，提高功率密度的关键是提高开关频率，以尽量减小无源元件，如变压器、EMI滤波器、大容量电容器和输出电容器，同时保持或提高效率。
但是GaN是一种极性材料，高电场会引起晶格应变，最终导致缺陷形成和电流泄漏路径。由于栅极边缘和源极附近的电流浓度，GaN可能会发生击穿。技术在不断完善中。
目前PI在GaN领域还是比较有技术地位的，深耕多年，有很多积累，可靠性提高了很多，做了很多优化，比如无需负压驱动，外围电路极大简化，方便用户使用。GaN优势不言而喻，相信随着材料科学及工艺的不断突破，未来成本降低，一定会极大普及的。
