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INN3996开发设计的电动汽车电源

电动汽车行业使用的母线电压越来越高。多数电动汽车使用400V母线电压,现在业界正在向800V的母线电压进行过渡。800V的母线电压能够实现更快的充电速度,减低电缆中的电流,实现更少发热(I2R的损耗降低4倍),电缆线束更少从而减轻重量。

InnoSwitch3系列的INN3996开发的反激电路,将支持集成更高电压的900V MOSFET,采用StackFET下,这项技术增加了设计的灵活性。具体来说就是在初级侧叠加另一个MOSFET,串联后,电压就是串联的MOSFET的电压加上InnoSwitch3-AQ的电压,这样就可增加耐压。

利用该主控IC开发的电源能够实现的30-1200VDC输入范围设计。待机工作下功耗极小,800V输入情况下小于36mW。而在负载调整率和电压调整率上的表现极佳,对于30V至1200V的输入电压范围及空载至满载的负载范围输出精度优于 1%/-3%。

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07-10 16:24

控制器提供高功率因素和恒流输出,产品的数采电压电流精度优于±10%的性能

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spowergg
LV.10
3
07-11 17:01

INN3996具有次级侧控制的所有优点以及初级侧调节的简单性,效率高,体积小。

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07-13 14:57
@奋斗的青春
控制器提供高功率因素和恒流输出,产品的数采电压电流精度优于±10%的性能

开关IC在全负载范围内具有高达95%的效率,1000VDC宽输入电压范围。

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飞翔2004
LV.10
5
07-17 13:53

InnoSwitch3-AQ开关IC是CV/CC QR反激式开关IC,集成了750V/900V/1700V开关和FluxLink反馈。

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trllgh
LV.9
6
07-19 08:56

PI的FluxLink 磁感双向通信技术引入1200 V驱动器应用,而且不需要额外的元件级认证测试,就能适用于汽车使用。

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xxbw6868
LV.9
7
07-20 09:21
@trllgh
PI的FluxLink磁感双向通信技术引入1200V驱动器应用,而且不需要额外的元件级认证测试,就能适用于汽车使用。

光耦的老化特性相当明显,在恒定电流下LED的效率 随著时间衰减。光耦的缺点明显。

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k6666
LV.9
8
07-25 14:36
@大海的儿子
开关IC在全负载范围内具有高达95%的效率,1000VDC宽输入电压范围。

是的,整体芯片效率很高

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k6666
LV.9
9
07-25 14:36
@xxbw6868
光耦的老化特性相当明显,在恒定电流下LED的效率随著时间衰减。光耦的缺点明显。

因此PI推出了fluxlink技术代替光耦

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k6666
LV.9
10
07-25 14:37
@trllgh
PI的FluxLink磁感双向通信技术引入1200V驱动器应用,而且不需要额外的元件级认证测试,就能适用于汽车使用。

绝缘且能通信。

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07-25 16:49
@k6666
是的,整体芯片效率很高

汽车使用的产品功耗是一方面,主要是可靠稳定工作。安全第一。

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新月GG
LV.10
12
07-25 20:09
@奋斗的青春
汽车使用的产品功耗是一方面,主要是可靠稳定工作。安全第一。

可靠性永远是排在第一位的,尤其是在汽车电子领域。

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XHH9062
LV.9
13
07-26 22:44

输出特性咋样?

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07-27 00:11

利用该主控IC开发的电源能够实现的30-1200VDC输入范围设计。待机工作下功耗极小,输入范围这么宽的

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07-27 01:04

电路图很详细

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dy-mb2U9pBf
LV.8
16
07-27 22:52

INN3996开发的反激电路可以增加耐压,从而能够适应电动汽车的需求。

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沈夜
LV.7
17
07-28 20:58

母线电压提升对电力电子变换器设计有何挑战?

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千影
LV.5
18
07-28 22:28

如何提高电动汽车用电子设备的能效和充电速度?

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飞翔2004
LV.10
19
08-07 14:00
@xxbw6868
光耦的老化特性相当明显,在恒定电流下LED的效率随著时间衰减。光耦的缺点明显。

是的,这会影响光耦合器的长期稳定性 跟 操作,特别是在高温操作环境更加明显。

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trllgh
LV.9
20
08-08 09:02
@飞翔2004
是的,这会影响光耦合器的长期稳定性跟操作,特别是在高温操作环境更加明显。

光耦受限于采用化合物半导体的制程技术,一般绝缘较差。只能做单向讯号传递,双向需要两组光偶组成。

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黑夜公爵
LV.10
21
10-09 21:49

非线性负反馈电路的非线性特性,使得调节管自动处于饱和区边缘

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方笑尘MK
LV.7
22
10-10 19:00

虽然800V系统在提高充电功率和降低损耗方面具有优势,但目前800V功率开关器件的成本是400V级IGBT的数倍,目前没什么优势

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