电动汽车行业使用的母线电压越来越高。多数电动汽车使用400V母线电压,现在业界正在向800V的母线电压进行过渡。800V的母线电压能够实现更快的充电速度,减低电缆中的电流,实现更少发热(I2R的损耗降低4倍),电缆线束更少从而减轻重量。
InnoSwitch3系列的INN3996开发的反激电路,将支持集成更高电压的900V MOSFET,采用StackFET下,这项技术增加了设计的灵活性。具体来说就是在初级侧叠加另一个MOSFET,串联后,电压就是串联的MOSFET的电压加上InnoSwitch3-AQ的电压,这样就可增加耐压。
利用该主控IC开发的电源能够实现的30-1200VDC输入范围设计。待机工作下功耗极小,800V输入情况下小于36mW。而在负载调整率和电压调整率上的表现极佳,对于30V至1200V的输入电压范围及空载至满载的负载范围输出精度优于 1%/-3%。