我本次调试用的主控IC是来自成都启臣微及深圳思睿达的CR52168BSG，此IC是核封了一颗耐压800V的BJT管，工作频率在40KHz~65KHz之间，此IC主要优势为价格低廉、整体成本很低、外围电路简单、EMC性能较好。废话不多说，直接进入调试正题。我将把我的调试过程一步一步写下来。
我觉得实际调试是最容易学到东西的过程，下图为我实际调试的样机图片：
【应用】小家电/灯具/适配器/充电器等
【规格】12V1A
大家可以看到上述图片的样机的滤波器只有一个差模电感，所以成本是比较低的，也是比较有难度。EMI辐射未达到要求,以下是优化了差不多的测试图片，当然没调试之前EMC的效果肯定是很差的，这是调试的差不多时候的图片，接下来再进行更深度的调试。
可以看到500K之前蓝线超的很多，500K以前主要差模干扰为主，传导冷机时在 0.15-1MHZ 超标，热机时就有 7DB 余量。主要原因是初级 BULK 电容 DF 值过大造成的，冷机时 ESR 比较大，热机时 ESR 比较小，开关电流在 ESR上形成开关电压，它会压在一个电流 LN 线间流动，这就是差模干扰。此时最简单的解决办法就是在整流桥前放一个X电容，或者在整流桥后修改电感，但这都会极大的增加成本。我选择把常规桥堆ABS210换成软桥堆FBS210，以下是调整后的图片
可以看到蓝线冷机时已经下来很多，现在我们来解决500K~600K之间的干扰，一用一个电阻串个电容后再并到丫电容的引脚上，用示波器测电阻两引脚的电压可以测共模干扰，我们一般把它叫做Y电压，此时可以通过把Y电压减小来改善。如何做呢？更改变压器屏蔽绕组的圈数，以此来减小Y电压，以下是调整后的图片
可以看到500K~600K此时已经完全达标，能满足需求，且意外的是大家可以明显看到连辐射30M~60M处也下来了，原因是因为改变压器屏蔽绕组时是由半层增加至了整层，此时Y电压降到很小，并且绕了整层屏蔽圈数类似于铜箔屏蔽，对辐射抑制的效果较好。接下来是优化30M~60M处，这里最简单暴力的办法就是增加DS电容，以下是增加后的效果。
至此这个电源的EMC就已经调试完成了，大家可以看到实物的板框其实还算蛮大的，如果调试外围很难调试成功，也可以通过优化PCB来解决。大家如果遇到有关小功率反激开关电源的问题欢迎一起讨论和解决，我也是在一个探讨和学习的过程，欢迎大家来讨论。也希望我分享我的实例操作可以帮助到大家。
