只有25分,全部贡上.
做了一个inverter,输入是用一个线性电源供应12Vdc,输出是110v,大约3A.
每次开机时,在原边的mosfet的drain上勾到peak电压竟然高达70V.
算起来,再怎么感应也只是2倍的Vin啊,也就是二三十V吧,怎么这么高呢.
基本上,吸收电路也加了,再加电容的话,效能就不过关了.
如何能搞定啊,谢谢高手们了.
在普通推挽电路中,每次开机时经常会把原边的mosfet干掉
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@leow
谢谢你的指导~变压器已经重新去打样了.后天就上板试试看.还有没有可能的原因啊?
场管发热主要有2种形式:
1,两边热．
2,单边热．
两边热原因:
1,场管大于3对,没有加图腾柱造成MOS驱动不足(结电容泻放不快),使MOS工作在线性放大状态．虽然MOS与三极管不同是电压驱动元件,但场管越多结电容越大,因为MOS对电压太敏感,这个小小的电容储存的一点点电压都足以使得MOS上升和下降沿波形不良．在MOS数量配置上要注意,尽量选结电容小压降小的产品,管多必须图腾驱动．
2,变压器耦合不良,漏感大会产生很大的尖峰电压,这个电压回授到MOS和3525导致器件发热甚至击穿,进而爆管,滤波电容发热或爆炸也是此原因．
单边热原因:
1,变压器绕制不合格,初级线圈长度相差过大,差值越大产生的尖峰电压越大结果导致一边热,重载烧单边MOS和3525,滤波电容发热或爆炸也是此原因．
2,MOS到变压器初级的引线不对称,特别是MOS和变压器不在同一个板上的朋友要注意了!这个小的不对称效果媲美变压器的不对称,重载烧单边MOS和3525．
解决变压器漏感大和初级不对称的终极绕制方法:
1,骨架内层先平饶1-2层次极
2,将初级2组多芯线并列同向平绕X圈,取一组的头和另组的尾对接成为中间抽头．(保证初级同长度)
3,接续内层次级继续绕次级．
1,两边热．
2,单边热．
两边热原因:
1,场管大于3对,没有加图腾柱造成MOS驱动不足(结电容泻放不快),使MOS工作在线性放大状态．虽然MOS与三极管不同是电压驱动元件,但场管越多结电容越大,因为MOS对电压太敏感,这个小小的电容储存的一点点电压都足以使得MOS上升和下降沿波形不良．在MOS数量配置上要注意,尽量选结电容小压降小的产品,管多必须图腾驱动．
2,变压器耦合不良,漏感大会产生很大的尖峰电压,这个电压回授到MOS和3525导致器件发热甚至击穿,进而爆管,滤波电容发热或爆炸也是此原因．
单边热原因:
1,变压器绕制不合格,初级线圈长度相差过大,差值越大产生的尖峰电压越大结果导致一边热,重载烧单边MOS和3525,滤波电容发热或爆炸也是此原因．
2,MOS到变压器初级的引线不对称,特别是MOS和变压器不在同一个板上的朋友要注意了!这个小的不对称效果媲美变压器的不对称,重载烧单边MOS和3525．
解决变压器漏感大和初级不对称的终极绕制方法:
1,骨架内层先平饶1-2层次极
2,将初级2组多芯线并列同向平绕X圈,取一组的头和另组的尾对接成为中间抽头．(保证初级同长度)
3,接续内层次级继续绕次级．
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@11455355
场管发热主要有2种形式: 1,两边热． 2,单边热．两边热原因: 1,场管大于3对,没有加图腾柱造成MOS驱动不足(结电容泻放不快),使MOS工作在线性放大状态．虽然MOS与三极管不同是电压驱动元件,但场管越多结电容越大,因为MOS对电压太敏感,这个小小的电容储存的一点点电压都足以使得MOS上升和下降沿波形不良．在MOS数量配置上要注意,尽量选结电容小压降小的产品,管多必须图腾驱动． 2,变压器耦合不良,漏感大会产生很大的尖峰电压,这个电压回授到MOS和3525导致器件发热甚至击穿,进而爆管,滤波电容发热或爆炸也是此原因．单边热原因: 1,变压器绕制不合格,初级线圈长度相差过大,差值越大产生的尖峰电压越大结果导致一边热,重载烧单边MOS和3525,滤波电容发热或爆炸也是此原因． 2,MOS到变压器初级的引线不对称,特别是MOS和变压器不在同一个板上的朋友要注意了!这个小的不对称效果媲美变压器的不对称,重载烧单边MOS和3525．解决变压器漏感大和初级不对称的终极绕制方法:1,骨架内层先平饶1-2层次极2,将初级2组多芯线并列同向平绕X圈,取一组的头和另组的尾对接成为中间抽头．(保证初级同长度)3,接续内层次级继续绕次级．
够全面!够热情!因得分!
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