我本次调试的样机主控IC为思睿达主推的成都启臣微的CR6842S, 这是一款高度集成的电流控制型 PWM 控制器，可用于中型到大型的离线式电源转化器。主要特点有：低启动电流、内置软启动、绿色模式独有的变频和跳频工作模式。主要应用于电源适配器及电池充电器。
【样机图片】
【输出规格】67V2A
我们都知道开关MOS管是开关电源中除主控IC外最关键的一个器件，如果MOS管损坏了，那么整个电源将完全失效，还有可能会导致交流短路，这是十分危险的，MOS击穿以后也会导致周围一大片器件损坏，排查起来也十分麻烦，所以预防MOS损坏就十分重要了，那么大家有没有遇到过空载切满载时 MOS波形会有过冲的现象呢，下面我将分享一个能解决此现象的一个方法。
可以看到在没改动之前MOS波形在空载切满载时MOS会有过冲的现象，然后再慢慢下来，虽然只有短短1~2秒钟，但是如果此时MOS正好处与较为临界的状态下的话，就会有超出MOS耐压值的风险，一般我们常用的MOS耐压值为650V，以下波形为220VAC输入时的MOS波形，最高值已经高达610V，那么在264VAC输入时就很有可能会超过MOS耐压值。
那么如何解决这一问题呢？其实很有可能是光耦1脚，也就是供电脚的电阻（下图的R17）取值不对造成的
此电阻为给光耦供电的电阻，可以看到它是直接接到输出上的，也承担分压的作用，输出电压越大的话这颗电阻的取值就要越大，否则就会出现上述情况，一般输出电压较低的机子（如12V、24V）取值一般为3-5KΩ，再大的话（如48V、72V），就要取10K以上才能保证光耦的供电在正常范围（一般光耦1脚耐压为36V）， 输出电压过大的情况下也可串联一个36V以下的稳压管进行稳压。原机该电阻用的是1K，显然太小了，根据经验我取了一颗15K电阻，也可根据公式算出一个大概值：
R=Vo-光耦正向导通压降-Vka/1.5/2，其中光耦正向导通压降为1.2-1.4V，Vka为431的V级和K级之间的比较电压，一般Vka>=2.5V.
（67-1.4-2.5）/1.5=42K，为了保留余量这个值还要再除以2，所以R=21K，该67V输出的电源光耦供电电阻取值最大可取21K，留余量是因为光耦是一个发光二极管，会有一定的光衰。
修改后的MOS波形如下：
可以看到修改后的MOS波形已经没有了明显的过冲，220VAC输入时MOS尖峰仅为540V左右，即使是264VAC输入也会在安全范围内。
至此这个电源的一个炸机风险已排除，可以看到该方法的优化还是挺大的，大家如果遇到类似情况也可尝试此方法，也欢迎大家一起交流有关开关电源调试方面的问题。
