今天有个人问我一个问题,一下把我考倒了.我自已都不好意思了.
人家问我:假如我要设计一个输入:90-264V/AC 主频为65K.输出:12V/5A的反激开关电源.
请问怎么计算:
1.MOS管用多少安电流的管子?
2.二次整流管用多少安电流的管子?
3.变压器用多大?
在这里烦麻大家了.请问有没有什么公式?
在这里的各位都会算吗?
谢谢!
烦麻大家帮我做三个题目,谢谢!
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现在还没有回复呢，说说你的想法
条件很清晰啊.
基本上,我会用5n90,3842,mur1620.调试.
根据实际情况进行调整.
开始的时候用高耐压的管子好一些.
在后期做优化的时候,可以根据发热量来决定是否采用更低耗损的器件.当然,也要考虑成本.
变压器要看空间要求了.
可选正激150W以上的磁芯(因为反激的磁芯利用率较低).比如EI33,EER28,PQ2625这样的磁芯.其中EER28是优选,因为窗口比PQ的大,气隙比EI的好.PQ的价格较贵,窗口较小,不利于安规,但是屏蔽效果不错,EMI会好点.一般在数码及通信产品上较常用.EI33实际上可以用EE33这样的代替.尽管没有EE33这个型号标准,但是,还是有一些国内的厂家开发了模具,提供EE30到EE42中间的产品.还挺好买的.当然了,TDK哪里是没有了.
还有一个可以忽略的优势,EER的铜损要比EE\EI的小一些.
基本上,我会用5n90,3842,mur1620.调试.
根据实际情况进行调整.
开始的时候用高耐压的管子好一些.
在后期做优化的时候,可以根据发热量来决定是否采用更低耗损的器件.当然,也要考虑成本.
变压器要看空间要求了.
可选正激150W以上的磁芯(因为反激的磁芯利用率较低).比如EI33,EER28,PQ2625这样的磁芯.其中EER28是优选,因为窗口比PQ的大,气隙比EI的好.PQ的价格较贵,窗口较小,不利于安规,但是屏蔽效果不错,EMI会好点.一般在数码及通信产品上较常用.EI33实际上可以用EE33这样的代替.尽管没有EE33这个型号标准,但是,还是有一些国内的厂家开发了模具,提供EE30到EE42中间的产品.还挺好买的.当然了,TDK哪里是没有了.
还有一个可以忽略的优势,EER的铜损要比EE\EI的小一些.
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@楚天?
条件很清晰啊.基本上,我会用5n90,3842,mur1620.调试.根据实际情况进行调整.开始的时候用高耐压的管子好一些.在后期做优化的时候,可以根据发热量来决定是否采用更低耗损的器件.当然,也要考虑成本.变压器要看空间要求了.可选正激150W以上的磁芯(因为反激的磁芯利用率较低).比如EI33,EER28,PQ2625这样的磁芯.其中EER28是优选,因为窗口比PQ的大,气隙比EI的好.PQ的价格较贵,窗口较小,不利于安规,但是屏蔽效果不错,EMI会好点.一般在数码及通信产品上较常用.EI33实际上可以用EE33这样的代替.尽管没有EE33这个型号标准,但是,还是有一些国内的厂家开发了模具,提供EE30到EE42中间的产品.还挺好买的.当然了,TDK哪里是没有了.还有一个可以忽略的优势,EER的铜损要比EE\EI的小一些.
HA,HA
The right answer appered at all!
You are going to get a job, so you have to show your ability first.
In this case:
you have to assume all other data which you need, then show how to caculate the answers! It shows that you are a design engineer, not a technician!
Then you have good chance to get this job!!
The right answer appered at all!
You are going to get a job, so you have to show your ability first.
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you have to assume all other data which you need, then show how to caculate the answers! It shows that you are a design engineer, not a technician!
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上面所有人等于没有回答,而且他们我敢说真正会算的人没几个,对公式作过详细推导的更少了.究竟先算什么,公式如何得来,我传上我的几篇心得,都是在别人的基础上我验算了的,我的笔记本没办法给你看,但下面文章我的注释已提供了思路,虽然这只是单片开关电源,但都是反激的,开关管的电压应力要用反射电压来确定,电流用计算的平均电流可以,这是我的经验,但算变压器时要用峰值电流.
楼主觉得有用的话说声谢谢,电源网现人气不好,我已好久没发帖了. 1906951235013217.pdf 1906951235013253.doc 1906951235013269.pdf
楼主觉得有用的话说声谢谢,电源网现人气不好,我已好久没发帖了. 1906951235013217.pdf 1906951235013253.doc 1906951235013269.pdf
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@temp1234
HA,HATherightanswerapperedatall!Youaregoingtogetajob,soyouhavetoshowyourabilityfirst.Inthiscase:youhavetoassumeallotherdatawhichyouneed,thenshowhowtocaculatetheanswers!Itshowsthatyouareadesignengineer,notatechnician!Thenyouhavegoodchancetogetthisjob!!
是的,工程师用理论数据来证明,技术员用经验来摸索.
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@qwxy
上面所有人等于没有回答,而且他们我敢说真正会算的人没几个,对公式作过详细推导的更少了.究竟先算什么,公式如何得来,我传上我的几篇心得,都是在别人的基础上我验算了的,我的笔记本没办法给你看,但下面文章我的注释已提供了思路,虽然这只是单片开关电源,但都是反激的,开关管的电压应力要用反射电压来确定,电流用计算的平均电流可以,这是我的经验,但算变压器时要用峰值电流.楼主觉得有用的话说声谢谢,电源网现人气不好,我已好久没发帖了.1906951235013217.pdf1906951235013253.doc1906951235013269.pdf
嘿嘿..
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@qwxy
上面所有人等于没有回答,而且他们我敢说真正会算的人没几个,对公式作过详细推导的更少了.究竟先算什么,公式如何得来,我传上我的几篇心得,都是在别人的基础上我验算了的,我的笔记本没办法给你看,但下面文章我的注释已提供了思路,虽然这只是单片开关电源,但都是反激的,开关管的电压应力要用反射电压来确定,电流用计算的平均电流可以,这是我的经验,但算变压器时要用峰值电流.楼主觉得有用的话说声谢谢,电源网现人气不好,我已好久没发帖了.1906951235013217.pdf1906951235013253.doc1906951235013269.pdf
佩服楼上的严谨性.
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@qwxy
上面所有人等于没有回答,而且他们我敢说真正会算的人没几个,对公式作过详细推导的更少了.究竟先算什么,公式如何得来,我传上我的几篇心得,都是在别人的基础上我验算了的,我的笔记本没办法给你看,但下面文章我的注释已提供了思路,虽然这只是单片开关电源,但都是反激的,开关管的电压应力要用反射电压来确定,电流用计算的平均电流可以,这是我的经验,但算变压器时要用峰值电流.楼主觉得有用的话说声谢谢,电源网现人气不好,我已好久没发帖了.1906951235013217.pdf1906951235013253.doc1906951235013269.pdf
谢谢你的回复了,感谢大家的好意了.
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说说自己拿到这个任务的做法:在这个频率下,如果效率要求不高,开关管就选最大输入电压2.5倍以上的 只要变压器漏感不是非常大各种电路不会出问题,电流大于最小输入电压时的2-3倍即可 对于变压器 我先按照每匝5-6V算初级匝数,电流密度选择3-4A算截面,考虑集肤效应选漆包线,算出次级匝数和选取的线,感觉只要能绕的下的磁心就行,EI和EE的好绕,实验中波形不理想适当加些气隙调整.如果非要计算的,B值取0.2套公式.感觉真正需要计算的是在效率要求大于95%或频率很高的时候,不过那时计算要综合考虑了,要注意元件的挑选,整流滤波, 电路采用软开关,以及漏感和分布电容等等的匹配问题了
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@zjie811
说说自己拿到这个任务的做法:在这个频率下,如果效率要求不高,开关管就选最大输入电压2.5倍以上的只要变压器漏感不是非常大各种电路不会出问题,电流大于最小输入电压时的2-3倍即可 对于变压器我先按照每匝5-6V算初级匝数,电流密度选择3-4A算截面,考虑集肤效应选漆包线,算出次级匝数和选取的线,感觉只要能绕的下的磁心就行,EI和EE的好绕,实验中波形不理想适当加些气隙调整.如果非要计算的,B值取0.2套公式.感觉真正需要计算的是在效率要求大于95%或频率很高的时候,不过那时计算要综合考虑了,要注意元件的挑选,整流滤波,电路采用软开关,以及漏感和分布电容等等的匹配问题了
其实这个问题很难回答,是个全局优化问题.
同样的MOS、控制芯片,同样的磁芯,气隙和匝数可以设计,设计结果可能是工作在连续或不连续模式
在连续模式和不连续模式下各有一个效率极大值点,这两个点哪个效率更高?这都是需要计算的
连续模式次级二极管为硬反向恢复,不连续模式为软恢复,反向恢复时间里MOS上存在冲击.但连续模式原边MOS平均电流平方低于不连续模式.
如果涉及到QR状态和连续模式状态之间的转换,更复杂.连续模式必须硬开通,不连续模式可以软开通.
总之全局优化问题不是用简单公式可以解决的,应该有一个算法框架,如模拟退火或遗传算法
同样的MOS、控制芯片,同样的磁芯,气隙和匝数可以设计,设计结果可能是工作在连续或不连续模式
在连续模式和不连续模式下各有一个效率极大值点,这两个点哪个效率更高?这都是需要计算的
连续模式次级二极管为硬反向恢复,不连续模式为软恢复,反向恢复时间里MOS上存在冲击.但连续模式原边MOS平均电流平方低于不连续模式.
如果涉及到QR状态和连续模式状态之间的转换,更复杂.连续模式必须硬开通,不连续模式可以软开通.
总之全局优化问题不是用简单公式可以解决的,应该有一个算法框架,如模拟退火或遗传算法
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@tanknet
其实这个问题很难回答,是个全局优化问题.同样的MOS、控制芯片,同样的磁芯,气隙和匝数可以设计,设计结果可能是工作在连续或不连续模式在连续模式和不连续模式下各有一个效率极大值点,这两个点哪个效率更高?这都是需要计算的连续模式次级二极管为硬反向恢复,不连续模式为软恢复,反向恢复时间里MOS上存在冲击.但连续模式原边MOS平均电流平方低于不连续模式.如果涉及到QR状态和连续模式状态之间的转换,更复杂.连续模式必须硬开通,不连续模式可以软开通.总之全局优化问题不是用简单公式可以解决的,应该有一个算法框架,如模拟退火或遗传算法
同意,尽信书不如无书.
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@tanknet
其实这个问题很难回答,是个全局优化问题.同样的MOS、控制芯片,同样的磁芯,气隙和匝数可以设计,设计结果可能是工作在连续或不连续模式在连续模式和不连续模式下各有一个效率极大值点,这两个点哪个效率更高?这都是需要计算的连续模式次级二极管为硬反向恢复,不连续模式为软恢复,反向恢复时间里MOS上存在冲击.但连续模式原边MOS平均电流平方低于不连续模式.如果涉及到QR状态和连续模式状态之间的转换,更复杂.连续模式必须硬开通,不连续模式可以软开通.总之全局优化问题不是用简单公式可以解决的,应该有一个算法框架,如模拟退火或遗传算法
看起来说得有道理. 但是, 估计你是没实际做过电源的. 经验也是很重要的.
一般来说, 较大功率输出(比如50W以上)和宽电压输入的反激电路, 绝对是连续模式效率高;
小功率的电路, 用RCC工作在临界模式效率高,电路简单, 但是现在有个ENERGY STAR的问题要解决, 设计得好, 还是可以做成的. 话说回来,现在的PWM CONTROL IC才0.6-0.7/PCS, RCC也在慢慢淘汰中...
QR电路只对高电压输入时,才有明显效果.
一般来说, 较大功率输出(比如50W以上)和宽电压输入的反激电路, 绝对是连续模式效率高;
小功率的电路, 用RCC工作在临界模式效率高,电路简单, 但是现在有个ENERGY STAR的问题要解决, 设计得好, 还是可以做成的. 话说回来,现在的PWM CONTROL IC才0.6-0.7/PCS, RCC也在慢慢淘汰中...
QR电路只对高电压输入时,才有明显效果.
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@qwxy
上面所有人等于没有回答,而且他们我敢说真正会算的人没几个,对公式作过详细推导的更少了.究竟先算什么,公式如何得来,我传上我的几篇心得,都是在别人的基础上我验算了的,我的笔记本没办法给你看,但下面文章我的注释已提供了思路,虽然这只是单片开关电源,但都是反激的,开关管的电压应力要用反射电压来确定,电流用计算的平均电流可以,这是我的经验,但算变压器时要用峰值电流.楼主觉得有用的话说声谢谢,电源网现人气不好,我已好久没发帖了.1906951235013217.pdf1906951235013253.doc1906951235013269.pdf
资料很全面,能不能把确定输入电容的公式推导一下,我推导出来和所给公式相差为2,不知为何!
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@deep_thought
看起来说得有道理.但是,估计你是没实际做过电源的.经验也是很重要的.一般来说,较大功率输出(比如50W以上)和宽电压输入的反激电路,绝对是连续模式效率高;小功率的电路,用RCC工作在临界模式效率高,电路简单,但是现在有个ENERGYSTAR的问题要解决,设计得好,还是可以做成的.话说回来,现在的PWMCONTROLIC才0.6-0.7/PCS,RCC也在慢慢淘汰中...QR电路只对高电压输入时,才有明显效果.
全电压输入 输出12V 5A
初级用8N60+3843
变压器用PQ2620
次级用 STPS20S100CT(TO-220) 2只
初级用8N60+3843
变压器用PQ2620
次级用 STPS20S100CT(TO-220) 2只
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@tanknet
其实这个问题很难回答,是个全局优化问题.同样的MOS、控制芯片,同样的磁芯,气隙和匝数可以设计,设计结果可能是工作在连续或不连续模式在连续模式和不连续模式下各有一个效率极大值点,这两个点哪个效率更高?这都是需要计算的连续模式次级二极管为硬反向恢复,不连续模式为软恢复,反向恢复时间里MOS上存在冲击.但连续模式原边MOS平均电流平方低于不连续模式.如果涉及到QR状态和连续模式状态之间的转换,更复杂.连续模式必须硬开通,不连续模式可以软开通.总之全局优化问题不是用简单公式可以解决的,应该有一个算法框架,如模拟退火或遗传算法
有道理,不过实际操作不太可能实现,现在电源都是要求高频率小体积,我们现在做的大功率的电源频率到500KC,硬开通和软开通在实际做的的过程中效率相差不大,软开通 在开关过程中损耗减小了,但是磁损耗大了;硬开通时理论上能够达到连续状态效率最高 应该可以到95%以上 但是实验过程中我们只看到过一次达到了95%,不过将调节电感用的小磁环固定后效率马上掉了下来 又只有90%左右了,以后再也没达到过95%了,感觉在高频状态下92%绝对是个瓶颈.要达到效率极大值点实际操作中难度太大!
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@zjie811
有道理,不过实际操作不太可能实现,现在电源都是要求高频率小体积,我们现在做的大功率的电源频率到500KC,硬开通和软开通在实际做的的过程中效率相差不大,软开通在开关过程中损耗减小了,但是磁损耗大了;硬开通时理论上能够达到连续状态效率最高应该可以到95%以上但是实验过程中我们只看到过一次达到了95%,不过将调节电感用的小磁环固定后效率马上掉了下来又只有90%左右了,以后再也没达到过95%了,感觉在高频状态下92%绝对是个瓶颈.要达到效率极大值点实际操作中难度太大!
"初级用8N60+3843
变压器用PQ2620
次级用 STPS20S100CT(TO-220) 2只"
个人观点
600V管子电压应力可能会超标
IC用3843短路不好做,还是3842好一点
变压器是不是太小了,PQ不好散热
如果效率不高用一只STPS20S100CT就够了
变压器用PQ2620
次级用 STPS20S100CT(TO-220) 2只"
个人观点
600V管子电压应力可能会超标
IC用3843短路不好做,还是3842好一点
变压器是不是太小了,PQ不好散热
如果效率不高用一只STPS20S100CT就够了
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