讨论:高压变压器绕制工艺
绕制高压变压器时,用带绕槽骨架会使漏感很大,甚至影响正常工作;用无绕槽骨架又会使分布电容增大.请各位经验丰富的大师见仁见智,使后辈末学少走一点弯路.
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RCD并不能解决MOSFET关断冲击,体内二极管恢复时间太长.
请张兄指点,怎样解决?DS波形如下:
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