• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

Mos管及其体二极管电流问题的探讨

有哪位大侠知道“为什么Mos管能承受的电流和它自身的体二极管能承受的电流是一样的?”如:一个Mos管能流过10A电流,则它的体二极管同样能流过10A电流.

   请大侠指点.

   我个人认为:Mos管的体二极管是在制造时自然形成的.在理论上可以把它和Mos管的另一部分区分一下,但从结构形式来说它们是一个整体,所以它们能承受的电流自然就相同.

    各位有不同意见请指点.不怕被拍砖!
全部回复(20)
正序查看
倒序查看
绝地苍狼
LV.3
2
2005-06-07 23:24
没人回,我自己顶.
0
回复
flysky1979
LV.4
3
2005-06-07 23:53
MOS管导通时,沟道在表面,电流从表面流走;而做二极管用时,电流经过的是内部的PN结;所以在做MOS管导电时,和该管的宽长比有关;而体二极管承受电流的能力不但和宽长比有关,而且和该MOS管源漏的结深及外延层厚度或则阱的深度有关,而且,采用不同的MOS管结构(例如梳状、#形状)
也有关系!
0
回复
古道中人
LV.8
4
2005-06-08 08:13
@flysky1979
MOS管导通时,沟道在表面,电流从表面流走;而做二极管用时,电流经过的是内部的PN结;所以在做MOS管导电时,和该管的宽长比有关;而体二极管承受电流的能力不但和宽长比有关,而且和该MOS管源漏的结深及外延层厚度或则阱的深度有关,而且,采用不同的MOS管结构(例如梳状、#形状)也有关系!
两种不同的导电方式,怎么会有必然的承受电流能力呢...晕...
0
回复
andyxm
LV.5
5
2005-06-08 09:06
@古道中人
两种不同的导电方式,怎么会有必然的承受电流能力呢...晕...
兄台,你知道MOS管两端在高压情况下(四五百伏),它的输出电容大概为多大啊?在五十伏时,差不多有500pF,但我不知道高压情况下的容值啊,望高手指教!
0
回复
flysky1979
LV.4
6
2005-06-08 09:19
@andyxm
兄台,你知道MOS管两端在高压情况下(四五百伏),它的输出电容大概为多大啊?在五十伏时,差不多有500pF,但我不知道高压情况下的容值啊,望高手指教!
正常情况下,如果你需要MOS管耐压,它应该工作在放大区,输出电容主要是MOS管漏端和衬底形成的反向PN结电容,所以加大反偏电压,耗尽层扩展,你的电容应该减小!
0
回复
古道中人
LV.8
7
2005-06-08 15:01
@flysky1979
正常情况下,如果你需要MOS管耐压,它应该工作在放大区,输出电容主要是MOS管漏端和衬底形成的反向PN结电容,所以加大反偏电压,耗尽层扩展,你的电容应该减小!
你这个说法不对了,你的说法只表现在PN结上.

对于场效应管,他的输入等效电容随着VDS增加而增加
0
回复
andyxm
LV.5
8
2005-06-08 15:46
@古道中人
你这个说法不对了,你的说法只表现在PN结上.对于场效应管,他的输入等效电容随着VDS增加而增加
根据厂家提供的数据应该是DS间电压增加时,其输出电容是减小的,但它只提供到了DS间电压为五十伏的情况,再高时就不知道了,还望大家多提建议啊!小弟不胜感激啊!
0
回复
flysky1979
LV.4
9
2005-06-08 17:41
@古道中人
你这个说法不对了,你的说法只表现在PN结上.对于场效应管,他的输入等效电容随着VDS增加而增加
MOS管的电容分为:栅和沟道之间的氧化层电容C1=WLCox,衬底和沟道
之间的耗尽层电容C2、多晶硅栅与源漏交迭的电容、源漏和衬底的节电容;
而输出电容主要就是DS电容,也就是PN结电容
0
回复
ck-hao
LV.4
10
2005-06-08 18:16
简单的说,MOSFET的压降Vds也就0.5V,MOSFET体二极管的压降Vsd有1.5V,在同样散热条件下,你说能流过同样大小的电流吗???
0
回复
zjqjl
LV.6
11
2005-06-08 19:29
我想不会吧!
0
回复
古道中人
LV.8
12
2005-06-08 20:24
@flysky1979
MOS管的电容分为:栅和沟道之间的氧化层电容C1=WLCox,衬底和沟道之间的耗尽层电容C2、多晶硅栅与源漏交迭的电容、源漏和衬底的节电容;而输出电容主要就是DS电容,也就是PN结电容
不好意思,我以为谈的是输入电容...
0
回复
flysky1979
LV.4
13
2005-06-08 21:32
@andyxm
根据厂家提供的数据应该是DS间电压增加时,其输出电容是减小的,但它只提供到了DS间电压为五十伏的情况,再高时就不知道了,还望大家多提建议啊!小弟不胜感激啊!
可以这样估算一下,PN结的耗尽层扩展正比于反向电压的1/2次方,而耗尽层电容可以看成平板电容,所以按照50V,500p计算,500V时,电容为500p/3=170p,由于GD电容基本不变,所以500V时,电容可能在200p~300p之间!不知道这样说问题大不大!
0
回复
绝地苍狼
LV.3
14
2005-06-09 00:04
@zjqjl
我想不会吧!
我知道我的分析不一定是对的,但是能承受同样的电流却是没错的.我向几位高人请教过,也找过Mos管的资料看过.不会错的.
0
回复
剑心
LV.8
15
2005-06-09 12:34
@绝地苍狼
我知道我的分析不一定是对的,但是能承受同样的电流却是没错的.我向几位高人请教过,也找过Mos管的资料看过.不会错的.
大电流MOS管的管芯只要散热良好,能承受非常大的电流的.管子承受电流能力的限制主要在于内部引线熔断.
0
回复
绝地苍狼
LV.3
16
2005-06-09 23:10
@剑心
大电流MOS管的管芯只要散热良好,能承受非常大的电流的.管子承受电流能力的限制主要在于内部引线熔断.
各位好像谈偏题了吧
0
回复
ck-hao
LV.4
17
2005-06-10 18:14
@绝地苍狼
我知道我的分析不一定是对的,但是能承受同样的电流却是没错的.我向几位高人请教过,也找过Mos管的资料看过.不会错的.
一般用MOSFET时,电流由D流向S,用MOSFET同步整流时,电流由S流向D,电流大小当然一样,但这可不是寄生二极管的电流.
0
回复
绝地苍狼
LV.3
18
2005-06-13 21:52
@ck-hao
一般用MOSFET时,电流由D流向S,用MOSFET同步整流时,电流由S流向D,电流大小当然一样,但这可不是寄生二极管的电流.
你找一份Mos管的资料先仔细看看吧.
0
回复
hl-xie
LV.4
19
2005-06-13 23:16
@ck-hao
一般用MOSFET时,电流由D流向S,用MOSFET同步整流时,电流由S流向D,电流大小当然一样,但这可不是寄生二极管的电流.
1118675800.xls
0
回复
绝地苍狼
LV.3
20
2005-06-16 00:10
@ck-hao
一般用MOSFET时,电流由D流向S,用MOSFET同步整流时,电流由S流向D,电流大小当然一样,但这可不是寄生二极管的电流.
1118851839.pdf
0
回复
帝国梦
LV.5
21
2010-01-15 10:45
@flysky1979
MOS管的电容分为:栅和沟道之间的氧化层电容C1=WLCox,衬底和沟道之间的耗尽层电容C2、多晶硅栅与源漏交迭的电容、源漏和衬底的节电容;而输出电容主要就是DS电容,也就是PN结电容
学习了


0
回复
工程师都在看
100W DC/DC 电源
朝阳之星
小巧、高效的连接产品，为小家电设计增添活力！
电源网-fqd
【 DigiKey DIY原创大赛】-基于STM32G030CBT6的GPS北斗双模授时终端
小小申
【 DigiKey DIY原创大赛】基于反激式开关电源的手机充电器设计（三）高频变压器设计和绕制篇
砖一谈芯
【 DigiKey DIY原创大赛】基于树莓派的 Modbus 网关
pomin
立
即
发
帖