IXDD414驱动电路

这个电路的工作原理是:6N137为高速光耦Vcc和Vdd为电源正极,分别为5V和18V,Dl为5.1V的稳压管.当输入脉冲为低电平时,C点为高电平,B点亦为高电平,在MOSFET的栅极和源极之间加上+13V的驱动电压,驱动MOSFET导通;当输入脉冲为高电平时,C点为低电平,B点亦为低电平,但由于稳压管DI的存在,将在MOSFET的栅极和源极之间加上一5V的关断电压,关断MOSFET.RG为驱动电路的栅极电阻,抑制驱动时的浪涌电流,同时抑制误触发.
    在正常工作时,MOSFET导通,漏极电流VD处于低电平,A点电位通过二极管回流至VD点,因为漏极处于低电位,所以A点也处于低电位状态,而C点电平高低和输入相同,所以异或门XOR的输出电平高低与输入相同,不对电路产生影响.当MOSFET过流时,漏极电压VD迅速上升,VD承受反压截止,由R1、C2的充电作用,A点电位开始升高,直到使异或门XOR输出低电平(因为此时C点也为高电平),使得B点变为低电平,从而使MOSFET承受一5V的反压而可靠关断,并处于截止状态,限制了过电流.
不知道上面分析的对不对,但我有一点不理解:在正常工作时,MOSFET导通,为什么VD处于低电平?不是mosfet的S极不是还和稳压管连着吗,并没有和地连着啊
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