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电源技术综合区
请问PN结形成后,载流子的运动问题?
请问PN结形成后,载流子的运动问题?
书上只是讲了内电场对于多子的扩散运动有妨碍,而对少子的漂移有利,但没具体的说这个运动过程是怎样的,希望大侠帮帮忙!给我讲讲.
比如当少子漂移时,当它们到达空间电荷区的时候不会被排斥吗?因为P区的少子是电子,而空间电荷区在P区这边的全是负离子,带负电,碰到电子后,应该把它推走吧,所以少子电子是不是应该通不过空间电荷区呢?同样的疑问也在N区,空穴能通过么?
还有就是空间电荷区对于多子怎么样阻碍它的运动呢?
希望大侠们帮忙啊!我的脑袋都快想爆了,也没想明白!哎
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ghost
LV.7
2
2005-07-08 22:58
静.静.静.......
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crab007
LV.1
3
2005-07-09 01:12
还有两个问题,同时说了吧
1 内电场如何吸引内电场外的少子,从而使它穿过PN结的呢?
2 空穴可以吸引临近的共有电子来进行填补,那么空穴所吸引的临近共有电子,除了和它同轨道的临近电子能吸引过来外,不同轨道的也能吸引过来吗?
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剑心
LV.8
4
2005-07-09 13:17
你是刚开始看电子学的书还是专门学半导体物理?如果是前者,跳过去不看就行了;后者就要找专门搞半导体的人了.
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411495770
LV.1
5
2007-04-20 09:40
"漂移作用"大于"电场力作用" 就会呈现出来"飘移",反之同理
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hyqzh
LV.1
6
2007-04-20 11:15
起初先有扩散运动,扩散的结果有利于漂移运动.当两者达到动态平衡时形成PN结.
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一两黄金
LV.2
7
2008-08-28 22:38
我也了教材一支半解的.哎
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