大家都知道mosfet有3个工作区,恒流区(放大区)此时漏源电流Ids只与Ugs有关,可变电阻区(Ids与Uds有关)
及截止区,在非隔离开关电源的设计中,大家基本只考虑Rdson(此时应该Rds很小),可是你怎么能保证让MOSFET工作在可变电阻区呢?对于着几个工作区,请搞手指交
mosfet你可能一直这样用,可是你知道为什么吗?请高手指交!
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mosfet在导通的时候有4个工作去,在关闭的时候有4个工作区首先是电压上升到门限电压,这时候mosfet不到通然后是门限电压上升到miller电压,此时mosfet上电压不变,电流开始增加,第三阶段是栅极电压保持不变,mosfet上电压开始下降,电流保持不变第四阶段是栅极电压上升到驱动电压,mosfet电压降到0,电流保持不变
我最近在翻译一片英文资料,详细介绍了mosfet的特性和应用的注意事项,《desing and application guild for high speed mosfet gate drive circuits》
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@data
我来传吧DesignAndApplicationGuideforHighSpeedMOSFETGateDriveCircuits.pdf
谢谢您的热心帮助.
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@brain789
谢谢Phonepim
功率MOSFET的基本特性
2.3.1静态特性MOSFET的转移特性和输出特性如图2所示.
漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性,ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs
MOSFET的漏极伏安特性(输出特性):截止区(对应于GTR的截止区);饱和区(对应于GTR的放大区);非饱和区(对应于GTR的饱和区).电力MOSFET工作在开关状态,即在截止区和非饱和区之间来回转换.电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管,漏源极间加反向电压时器件导通.电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利.
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当Uds>Ugs-Ugs(th),工作在饱和区(恒流区),Uds
2.3.1静态特性MOSFET的转移特性和输出特性如图2所示.
漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性,ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs
MOSFET的漏极伏安特性(输出特性):截止区(对应于GTR的截止区);饱和区(对应于GTR的放大区);非饱和区(对应于GTR的饱和区).电力MOSFET工作在开关状态,即在截止区和非饱和区之间来回转换.电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管,漏源极间加反向电压时器件导通.电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利.
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当Uds>Ugs-Ugs(th),工作在饱和区(恒流区),Uds
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