IXYS推出170~300V沟槽栅口工艺的超级MOSFET!这些MOSFET能处理高达280A的电流,使工程师设计高功率的产品时,无需再使用低电流的MOSFET去并联!这样使得驱动电路更简单,使系统使用更少的元件达致高可靠性、简单的极佳效果.
该系列MOSFET优化的开关特性,使他们适合于很多高功率的应用.
GigamosTM系列MOSFET使用IXYS先进的Trench工艺,从而具有极低的RDS(ON)和门电荷(QG)同时有极佳的开关特性并十分结实,好的开关特性源于使用了IXYS享誉业界的HiperFETTM工艺,使得MOSFET内置的二极管有非常低的反向恢复电荷和高的dv/dt指标.这系列的MOSFET的最高结温高达175℃,使它们尤其适合于电动汽车,混合动力汽车,电动摩托车电动叉车等应用!同时也可以用于大功率的DC-DC变换器,直流斩波器,开关电源,UPS等市场.
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