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IGBT耐压问题

请问,单项220V交流使用环境中,选择的单管IGBT VCE耐压值取600v,900v,1200v,从性能稳定,价格又比较划算的角度考虑,选择那种比较好呀?

按说单相全波整流后母线直流电压310v左右,取600v就够了,但考虑实际使用中IGBT导通关闭的瞬间电压的冲击的话,是不是VCE电压值越高越好,价格是不是相应差别很大呢?

请各路高手赐教,谢谢!!!
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hlmfox
LV.5
2
2009-07-14 08:13
静候各位高手解答......
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139040272
LV.7
3
2009-07-14 08:56
@hlmfox
静候各位高手解答......
六百伏就够了
从经济角度来讲,六百伏的最便宜
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2009-07-14 08:58
@hlmfox
静候各位高手解答......
当然,还得看你选用的拓扑结构,全桥的话选用600V就足够了.


同等电流规格,一般来说,耐压越高,价格也会高.
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andong
LV.6
5
2009-07-14 09:10
一般来说,同电流级别的管子,耐压越高,通态压降也越大.
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aqhxhg
LV.6
6
2009-07-14 14:58
@andong
一般来说,同电流级别的管子,耐压越高,通态压降也越大.
个人认为半桥和全桥600伏都足够用了,要是吸收和保护搞得不好的话1200伏的IGBT也照样完蛋!
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2009-07-15 07:17
@aqhxhg
个人认为半桥和全桥600伏都足够用了,要是吸收和保护搞得不好的话1200伏的IGBT也照样完蛋!
恩,说的很对.耐压高价格也很贵的.主要的把保护电路要做好.元器件要选择好很关键哦.
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hlmfox
LV.5
8
2009-07-15 08:16
@情人劫的爱
恩,说的很对.耐压高价格也很贵的.主要的把保护电路要做好.元器件要选择好很关键哦.
一般选择RCD吸收,实际大部分只是RC选择,我看通用的要求是RC都必须选择无感的,那么有没有合适的具体参数呢?

这个具体参数与IGBT的工作频率应该有关系的吧,RC微分应该快于IGBT工作频率吧.

对于大部分的IGBT,20Khz基本是上限了,那么对应的RC有没有可以参考的数据?
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35720544
LV.1
9
2009-07-15 09:53
@hlmfox
一般选择RCD吸收,实际大部分只是RC选择,我看通用的要求是RC都必须选择无感的,那么有没有合适的具体参数呢?这个具体参数与IGBT的工作频率应该有关系的吧,RC微分应该快于IGBT工作频率吧.对于大部分的IGBT,20Khz基本是上限了,那么对应的RC有没有可以参考的数据?
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