使用三个桥臂模块做脉冲变流器,上电前未仔细检查电路,结果由于IGBT栅极悬空开路,(集电极与发射极间有500v左右高电压),导致IGBT炸毁!!求教事故原因的具体分析!!
从书上一般只能查到结论,就是说这样做的话会发生炸毁事故,但是谁能把具体原因说一下啊??强烈期待!!希望能够给我发信,shotel@sohu.com
感激不尽!!
求教IGBT烧毁的具体原因!!
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给你解释一下mosfet的同样现象,看mosfet的简化模型就可以知道,当门极
悬空的时候,如果在漏源极加电压就会对门极电容充电,让门极电压逐渐升高
导致误导通.IGBT模型要复杂多,但是基本上也是这种类似原因造成的.500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/17/1085020561.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
悬空的时候,如果在漏源极加电压就会对门极电容充电,让门极电压逐渐升高
导致误导通.IGBT模型要复杂多,但是基本上也是这种类似原因造成的.500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/17/1085020561.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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@sometimes
给你解释一下mosfet的同样现象,看mosfet的简化模型就可以知道,当门极悬空的时候,如果在漏源极加电压就会对门极电容充电,让门极电压逐渐升高导致误导通.IGBT模型要复杂多,但是基本上也是这种类似原因造成的.[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/17/1085020561.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
谢谢!!非常感谢!!如果方便,能给推荐些相关资料吗?
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@sometimes
给你解释一下mosfet的同样现象,看mosfet的简化模型就可以知道,当门极悬空的时候,如果在漏源极加电压就会对门极电容充电,让门极电压逐渐升高导致误导通.IGBT模型要复杂多,但是基本上也是这种类似原因造成的.[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/17/1085020561.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
回答的简单易懂,c2,c3串联分压,c3上的电压超过Vth+就危险
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