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电池无输出异常情况分析

各位业界的高手,小弟不才,有一个问题向请教各位,附件中是一张原理图,这是根据实际清况测试来的,器件没有损坏,也没有更换任何元件,但是要说是虚焊,也有点说不过去,还有是什么情况会引起各个点的电压变化这么大,从R1的电阻电端的电压变化,再到CO DO控制端的电压变化,和输出的假像电压,(这一切可以就是MOSFET没有导通,可测试连接情况是能的,各个点都是连接在一起的)MOSFET一加锡就回复到近似于电芯的电压,输出充放电都正常,弄的我有些不解,所以在此所大家请教,望各路高手,指导一下,谢谢!500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/80/349281251438447.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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fei668
LV.4
2
2009-08-29 17:07
D0是关掉的啊
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lmdk1999
LV.3
3
2009-08-31 09:24
@fei668
D0是关掉的啊
DO是关掉的没错,R1上两端的压降也不一样,按正常的电路,R1两端的电压,几乎是等于电芯的电压,但现在的情况是出现R1上两端的电降存在不一样,从这一点上看,有点类似于R1和保护IC里的某一块连接,然后对地导通,有点像是串联分压的情况,但是只要在MOSFET加上锡,就可以恢复到正常状态,没有换过任何器件,关于这一点有点没有搞明白,元件没有损坏,连接也正常,可是就会出现一个假像电压,想来想去,没有想到一个比较合理的答案,其实一直有在想这个事,有可能性是MOSFET的原因,就为MOSFET存在着已损坏的情况,类似于击穿,但不是很明显,也就是微击穿,所以有可能一上电,IC的DO和CO脚由于MOSFET的击穿,被拉到地,从而使R1上的压降也存在异常,只要对MOSFET补锡,就恢复正常,是由于MOSFET是属半导体器件,温度可能使MOSFET的介质发生变化,所以又有恢复正常输出的情况?也就是说,IC是正常的,只要把MOSFET换掉,就可以恢复正常,问题就出在MOSFET上,但是MOSFET的问题我也说不清,要么就是损坏,要么就是不损坏,好像没有存在于,时好时坏的情况,以不知道这样分析对不对,所以还请各位高好,帮忙斧正,谢谢.
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dddccc
LV.2
4
2009-09-11 11:23
@lmdk1999
DO是关掉的没错,R1上两端的压降也不一样,按正常的电路,R1两端的电压,几乎是等于电芯的电压,但现在的情况是出现R1上两端的电降存在不一样,从这一点上看,有点类似于R1和保护IC里的某一块连接,然后对地导通,有点像是串联分压的情况,但是只要在MOSFET加上锡,就可以恢复到正常状态,没有换过任何器件,关于这一点有点没有搞明白,元件没有损坏,连接也正常,可是就会出现一个假像电压,想来想去,没有想到一个比较合理的答案,其实一直有在想这个事,有可能性是MOSFET的原因,就为MOSFET存在着已损坏的情况,类似于击穿,但不是很明显,也就是微击穿,所以有可能一上电,IC的DO和CO脚由于MOSFET的击穿,被拉到地,从而使R1上的压降也存在异常,只要对MOSFET补锡,就恢复正常,是由于MOSFET是属半导体器件,温度可能使MOSFET的介质发生变化,所以又有恢复正常输出的情况?也就是说,IC是正常的,只要把MOSFET换掉,就可以恢复正常,问题就出在MOSFET上,但是MOSFET的问题我也说不清,要么就是损坏,要么就是不损坏,好像没有存在于,时好时坏的情况,以不知道这样分析对不对,所以还请各位高好,帮忙斧正,谢谢.
正常的保护电路是D0电压为电芯电压或者严格意义上的0V,如果有电压,肯定是在MOS跟地之间形成了一个电阻,与IC内部的上拉电阻形成了分压造成的,这里情况可能有很多种,最可能的两种一种就是虚焊,另外一种是MOS封装的问题,个别差的封装厂封装的胶体不能充分绝缘,也是一种可能,具体要根据电路分析
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fmf1999
LV.4
5
2009-10-20 16:22
@dddccc
正常的保护电路是D0电压为电芯电压或者严格意义上的0V,如果有电压,肯定是在MOS跟地之间形成了一个电阻,与IC内部的上拉电阻形成了分压造成的,这里情况可能有很多种,最可能的两种一种就是虚焊,另外一种是MOS封装的问题,个别差的封装厂封装的胶体不能充分绝缘,也是一种可能,具体要根据电路分析
楼上的朋友分析MOS的问题有点道理,这个IC的上拉电阻分压,和虚焊,似乎没有办法联系的起来,可能说明一点.
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