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1.8KW大功率逆变电源,初级绕组在里面还是外面好?!!!

请大侠救急!推挽电路12V变220V1800W逆变电源,初级铜带是安排在里面好还是外面好?为啥我的在里面或是外面,变压器都发热严重啊!!!!!第一次做这么大输入电流的逆变电源请各位大侠不吝指导!先发一张请帖,搞好了请大家吃饭.
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木剑
LV.5
2
2005-10-05 18:50
书上说是里边的好
变压器发热一般有二
一,绕组线径不够,高频最好用多股线
频率太高,磁芯发热
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1314168
LV.8
3
2005-10-05 20:09
兄弟,用的是多大的變壓器.
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pfcpfc
LV.2
4
2005-10-05 20:56
@1314168
兄弟,用的是多大的變壓器.
次级内外各一半.
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1314168
LV.8
5
2005-10-05 21:01
@pfcpfc
次级内外各一半.
鐵芯用多大1800W:59/65?
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suncn968
LV.3
6
2005-10-05 22:46
@1314168
鐵芯用多大1800W:59/65?
59就可以了.铁心要开磁隙的!
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voltec
LV.4
7
2005-10-05 23:03
@suncn968
59就可以了.铁心要开磁隙的!
由于1.8KW是实际负载功率,峰值功率3KW,所以我的余量也留的比较大,选用的是TDK PC40 EC90的磁芯,初级用0.45厚的铜带电流密度选的10A/平方mm,工作环境是风冷.参数设计也是经过多方论证,所以认为引起发热的原因主要是绕组结构!!!
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voltec
LV.4
8
2005-10-05 23:04
@suncn968
59就可以了.铁心要开磁隙的!
这位大哥“铁心要开磁隙”是什么意思?请指教!
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windyljf
LV.2
9
2005-10-05 23:57
@voltec
这位大哥“铁心要开磁隙”是什么意思?请指教!
这个问题和我现在遇到的几乎差不多,push-pull变压器,输入36V,输出双350V,1500VA,风冷,用风扇对着吹铜箔温度也还有120度
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windyljf
LV.2
10
2005-10-06 00:00
@suncn968
59就可以了.铁心要开磁隙的!
问题应该不是出在气隙上吧,气隙用来储存能量,但是推挽电路变压器几乎不用储存能量吧?不知见解对否
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voltec
LV.4
11
2005-10-06 00:05
@windyljf
问题应该不是出在气隙上吧,气隙用来储存能量,但是推挽电路变压器几乎不用储存能量吧?不知见解对否
对我的意思也是这样的,推挽电路本来就是不需要气隙的嘛
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sunsusie
LV.6
12
2005-10-06 00:22
@windyljf
这个问题和我现在遇到的几乎差不多,push-pull变压器,输入36V,输出双350V,1500VA,风冷,用风扇对着吹铜箔温度也还有120度
风冷还有这么高的温度?频率是多少?
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windyljf
LV.2
13
2005-10-06 00:30
@sunsusie
风冷还有这么高的温度?频率是多少?
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abing
LV.8
14
2005-10-06 14:00
@voltec
对我的意思也是这样的,推挽电路本来就是不需要气隙的嘛
说实话做这家伙你有多大把握!电池电流近200A,选用那些管子?

输出是什么波形?

是车载用的吗?如果不是,为何不设计24V的输入?
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voltec
LV.4
15
2005-10-06 14:11
@abing
说实话做这家伙你有多大把握!电池电流近200A,选用那些管子?输出是什么波形?是车载用的吗?如果不是,为何不设计24V的输入?
现在的客户是啥子都有,他们用的是2V的电池组,正在谈用24V的(但是做12V的对自己也是一个挑战),修正正弦波.
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木剑
LV.5
16
2005-10-06 14:36
推挽工作不可以开磁隙,你得搞清是磁芯发热还是导线发热!
磁芯发热,那是频率太高或质量不好
导线发热,是否电阻太大
查一下是否用有直流分量?
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q1000p1000
LV.5
17
2005-10-06 18:52
@voltec
由于1.8KW是实际负载功率,峰值功率3KW,所以我的余量也留的比较大,选用的是TDKPC40EC90的磁芯,初级用0.45厚的铜带电流密度选的10A/平方mm,工作环境是风冷.参数设计也是经过多方论证,所以认为引起发热的原因主要是绕组结构!!!
磁芯选择更大规格的
现在你用的磁芯材料有问题吗?
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xiaodong
LV.9
18
2005-10-06 20:12
@木剑
推挽工作不可以开磁隙,你得搞清是磁芯发热还是导线发热!磁芯发热,那是频率太高或质量不好导线发热,是否电阻太大查一下是否用有直流分量?
频率太高不至于吧?质量不好倒很有可能.
10A电流密度是否太大胆了?
如何知道有直流分量?它会影响什么参数呢?
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dcm789
LV.2
19
2005-10-07 09:09
@voltec
由于1.8KW是实际负载功率,峰值功率3KW,所以我的余量也留的比较大,选用的是TDKPC40EC90的磁芯,初级用0.45厚的铜带电流密度选的10A/平方mm,工作环境是风冷.参数设计也是经过多方论证,所以认为引起发热的原因主要是绕组结构!!!
10A的电流密度太大
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木剑
LV.5
20
2005-10-07 12:17
@xiaodong
频率太高不至于吧?质量不好倒很有可能.10A电流密度是否太大胆了?如何知道有直流分量?它会影响什么参数呢?
推挽工作,得注意直流分量,会容易使磁芯进入饱和导至发热的
自激推挽一般是没这问题的,他激式推挽有这问题
他激式,初级两绕组不平衡、占空比不一样等都会可能出现直流分量
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voltec
LV.4
21
2005-10-07 12:29
@木剑
推挽工作,得注意直流分量,会容易使磁芯进入饱和导至发热的自激推挽一般是没这问题的,他激式推挽有这问题他激式,初级两绕组不平衡、占空比不一样等都会可能出现直流分量
那初级两绕组是不是需要并绕或紧艾着而不能分开绕?如果我这个按照先次级1-初级1-次级2-初级2的绕制顺序是不是不行?!
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木剑
LV.5
22
2005-10-07 12:35
@voltec
那初级两绕组是不是需要并绕或紧艾着而不能分开绕?如果我这个按照先次级1-初级1-次级2-初级2的绕制顺序是不是不行?!
初级双绕组的,最好是并绕,以保持一致
次级也分两组??
那看你是怎样的整流方式了
每组的整流最好是桥式、倍压,避免采用全波、半波.次级电压高,采用并绕是不大现实的.(耐压和分布电容都无法解决)
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voltec
LV.4
23
2005-10-07 12:48
@木剑
初级双绕组的,最好是并绕,以保持一致次级也分两组??那看你是怎样的整流方式了每组的整流最好是桥式、倍压,避免采用全波、半波.次级电压高,采用并绕是不大现实的.(耐压和分布电容都无法解决)
次级是桥式整流的,那是不是先绕完次级,在绕初级好点?
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木剑
LV.5
24
2005-10-07 13:10
@voltec
次级是桥式整流的,那是不是先绕完次级,在绕初级好点?
书上说先绕初级的好,这样可以减小漏磁以减小空载电流
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alina594
LV.1
25
2005-10-08 23:24
@木剑
书上说先绕初级的好,这样可以减小漏磁以减小空载电流
一、1800w,12V的逆变器,电流就将近在200A左右,采用再好的变压器,任你怎样更改变压器的参数绕法,始终发热量集与一身,再大的努力都将是发热太大,得不尝矢.可采取两个或多个变压器来并联分担,但在注意并联时的各变压器的电流分配问题.
二、逆变器的PWM初级是工作在全桥还是推挽状态下?如在推挽状态下,变压器可采用三明治的多股并绕法,先绕初级一个绕组,再绕次级绕组的一半,再进行初级的另一组的并绕,最后再进行次级另一半的完成.
三、逆变器工作时,变压器温升高以外,同时MOSFET的左右推挽管发热量对称吗?如果不对称原因有三:1)、你的LAYOUT就有问题,电流分布不均;2)、变压器的匝比、参数、绕法有问题;3)、PWM的工作频率就不对;
四、空载工作时MOSFET左右温升对称吗?电流大吗?请更改变压器参数,适当地增大/减小驱动电阻.
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voltec
LV.4
26
2005-10-08 23:43
@alina594
一、1800w,12V的逆变器,电流就将近在200A左右,采用再好的变压器,任你怎样更改变压器的参数绕法,始终发热量集与一身,再大的努力都将是发热太大,得不尝矢.可采取两个或多个变压器来并联分担,但在注意并联时的各变压器的电流分配问题.二、逆变器的PWM初级是工作在全桥还是推挽状态下?如在推挽状态下,变压器可采用三明治的多股并绕法,先绕初级一个绕组,再绕次级绕组的一半,再进行初级的另一组的并绕,最后再进行次级另一半的完成.三、逆变器工作时,变压器温升高以外,同时MOSFET的左右推挽管发热量对称吗?如果不对称原因有三:1)、你的LAYOUT就有问题,电流分布不均;2)、变压器的匝比、参数、绕法有问题;3)、PWM的工作频率就不对;四、空载工作时MOSFET左右温升对称吗?电流大吗?请更改变压器参数,适当地增大/减小驱动电阻.
首先感谢“alina594”大侠这么晚还回贴!我这个电路是推挽方式,按照你的第“二”种绕法的话不会人为增加两初级的不平衡度?以前的做法都是两初级紧艾着一起绕制,要么同时放在里面、中间或外面,这种分开的绕法还没有尝试过,不知道会是怎样的结果.不知道“alina594”大侠在这种绕法上是不是有独特的地方?怎样控制两绕组间漏感引起的不平衡问题?对了我这个电路是3525和B647,D667驱动的,芯片供电由一个小DC/DC提供,很稳定的!
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木剑
LV.5
27
2005-10-08 23:47
@alina594
一、1800w,12V的逆变器,电流就将近在200A左右,采用再好的变压器,任你怎样更改变压器的参数绕法,始终发热量集与一身,再大的努力都将是发热太大,得不尝矢.可采取两个或多个变压器来并联分担,但在注意并联时的各变压器的电流分配问题.二、逆变器的PWM初级是工作在全桥还是推挽状态下?如在推挽状态下,变压器可采用三明治的多股并绕法,先绕初级一个绕组,再绕次级绕组的一半,再进行初级的另一组的并绕,最后再进行次级另一半的完成.三、逆变器工作时,变压器温升高以外,同时MOSFET的左右推挽管发热量对称吗?如果不对称原因有三:1)、你的LAYOUT就有问题,电流分布不均;2)、变压器的匝比、参数、绕法有问题;3)、PWM的工作频率就不对;四、空载工作时MOSFET左右温升对称吗?电流大吗?请更改变压器参数,适当地增大/减小驱动电阻.
第二种绕法可以增加紧耦合,但是否也会增加分布电容啊.
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lyticast
LV.7
28
2005-10-09 00:05
@voltec
首先感谢“alina594”大侠这么晚还回贴!我这个电路是推挽方式,按照你的第“二”种绕法的话不会人为增加两初级的不平衡度?以前的做法都是两初级紧艾着一起绕制,要么同时放在里面、中间或外面,这种分开的绕法还没有尝试过,不知道会是怎样的结果.不知道“alina594”大侠在这种绕法上是不是有独特的地方?怎样控制两绕组间漏感引起的不平衡问题?对了我这个电路是3525和B647,D667驱动的,芯片供电由一个小DC/DC提供,很稳定的!
注意高频大电流的集肤效应和邻近效应,应该是采用夹心绕法比较好,注意要将初级分3-4层分组绕制,然后将线头合并引出才可以,电流密度一般只能取到3A/mm2左右,过高的载流密度会加剧邻近效应的影响.邻近效应不管是交流还是直流都有.如果你是采用推挽方式,建议磁心不留器隙以减少圈数,此外,为防止单向偏磁,还建议采用UC3846,UC3825之类的电流型控制PWM IC,可有效地防止单向偏磁.
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lyticast
LV.7
29
2005-10-09 00:09
@lyticast
注意高频大电流的集肤效应和邻近效应,应该是采用夹心绕法比较好,注意要将初级分3-4层分组绕制,然后将线头合并引出才可以,电流密度一般只能取到3A/mm2左右,过高的载流密度会加剧邻近效应的影响.邻近效应不管是交流还是直流都有.如果你是采用推挽方式,建议磁心不留器隙以减少圈数,此外,为防止单向偏磁,还建议采用UC3846,UC3825之类的电流型控制PWMIC,可有效地防止单向偏磁.
SG3525,UC3846之类的IC都是可以直接推动MOSFET的,加了晶体管纯粹是画蛇添足.有时候效果适得其反.
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alina594
LV.1
30
2005-10-09 03:04
@voltec
首先感谢“alina594”大侠这么晚还回贴!我这个电路是推挽方式,按照你的第“二”种绕法的话不会人为增加两初级的不平衡度?以前的做法都是两初级紧艾着一起绕制,要么同时放在里面、中间或外面,这种分开的绕法还没有尝试过,不知道会是怎样的结果.不知道“alina594”大侠在这种绕法上是不是有独特的地方?怎样控制两绕组间漏感引起的不平衡问题?对了我这个电路是3525和B647,D667驱动的,芯片供电由一个小DC/DC提供,很稳定的!
逆变器是DC TO AC的产品不同与AC TO DC,且你的电路又是推挽的,又何尝要去考虑到变压器的漏感呢!这种绕法我们一直在使用,关且我现在做的功率还是你的倍数关系呢!3525用在前级也是一种较好的IC,因为你用的B647,D667管子是通过一个几十R的电阻到3625的图腾输出的,所以你也应对此电阻在实验中做适当的调节,建意采用的驱动管的导通电流较大的,而非功率大的为好!因为你的3525是一个小的DC/DC提供,不要人为地加入了电源的输入纹波,且最好是其它的苡片的供电如也是从小DC提供的话最好有一个电感将VCC隔开.
我不知你的变压器的初级是多少的,如是12V输入,可将圈数尽可能地减少,利于损耗最小,同时如果你的变压器初级采用铜带来做就最好是铜带引出脚,不要在铜带的输入端再用铜线焊接后引出,这样会是瓶颈的200A通过你说能不发热吗!或者是多股铜线并起来代替铜带.不要忘了,并线不能焊接在变压器的PIN脚上,一定要铜线直插机板呀.
另一方面你可看看你的左右MOSFET在带轻载时其尖锋电压是不同的,一个超出了很多,可能在50V以上(针对12V来说),而另一可能在30V左右,这就是你的MOSFET的驱动电阻不当,当然跟驱动管也有关啰!再者就是你在LAYOUT时可能没有注意A、B输出交义或以重地平行所致.(同时我讲这话是有前提的,就是你的变压器匝比是正确的,且PWM的脉宽深度不是很大的前提)!
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wtx10
LV.6
31
2005-10-10 11:55
@alina594
逆变器是DCTOAC的产品不同与ACTODC,且你的电路又是推挽的,又何尝要去考虑到变压器的漏感呢!这种绕法我们一直在使用,关且我现在做的功率还是你的倍数关系呢!3525用在前级也是一种较好的IC,因为你用的B647,D667管子是通过一个几十R的电阻到3625的图腾输出的,所以你也应对此电阻在实验中做适当的调节,建意采用的驱动管的导通电流较大的,而非功率大的为好!因为你的3525是一个小的DC/DC提供,不要人为地加入了电源的输入纹波,且最好是其它的苡片的供电如也是从小DC提供的话最好有一个电感将VCC隔开.我不知你的变压器的初级是多少的,如是12V输入,可将圈数尽可能地减少,利于损耗最小,同时如果你的变压器初级采用铜带来做就最好是铜带引出脚,不要在铜带的输入端再用铜线焊接后引出,这样会是瓶颈的200A通过你说能不发热吗!或者是多股铜线并起来代替铜带.不要忘了,并线不能焊接在变压器的PIN脚上,一定要铜线直插机板呀.另一方面你可看看你的左右MOSFET在带轻载时其尖锋电压是不同的,一个超出了很多,可能在50V以上(针对12V来说),而另一可能在30V左右,这就是你的MOSFET的驱动电阻不当,当然跟驱动管也有关啰!再者就是你在LAYOUT时可能没有注意A、B输出交义或以重地平行所致.(同时我讲这话是有前提的,就是你的变压器匝比是正确的,且PWM的脉宽深度不是很大的前提)!
用铜带分段绕确实可以减少漏感,单寄生电容也大大增加了,这个电容反复充放电也很了得,当然你的电流密度是太大了,3A还差不多,没计算一下绕组直流电阻及温升?就算只有1毫欧也了不得!我碰到的情况比你还糟糕,后来只好降低频率用多股线,当然输入电流比你的小,只有120A不到
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