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求教:一个MOSFET(IRFZ44)部分参数如下,求问结电容等!

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/17/1085875368.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
1、在芯片说明书中有以下参数:
td(on)  turn-on delay time    14ns
tr      rise time             110ns
td(off) turn-off delay time   45ns
tf      fall time             92ns
在一些文献中提到IRFZ44这个芯片的死区时间,请问这个死区时间是指的什么?如何计算?
2、另一参数:
Ciss    input capacitance     1900pF
Coss    output capacitance     920pF
Crss    reverse transfer capacitance   170pF
在一些文献中提到结电容,请教该芯片的结电容是多少?如何计算?
不胜感激!
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bridge
LV.2
2
2004-05-30 11:28
MOSFET有三个电容,即Cgs(门极和源极)、Cgd(门极和漏极)和Cds(漏极和源极);一般产品说明上给出的是Ciss、Coss和Crss,前后定义之间有如下关系:
Ciss=Cgs+Cgd
Coss=Cds+Cgd
Cgd=Crss
其中Cgd和Cds是随其两端电压的变化而变化的,具体各种情况下怎么计算,我给出一篇文章。
A More Realistic Characterization of Power MOSFET Output Capacitance Coss.pdf
1085887647.pdf
至于你提到的MOSFET的死区时间,还请清楚的兄弟指教!!
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chalong
LV.1
3
2004-05-30 12:11
@bridge
MOSFET有三个电容,即Cgs(门极和源极)、Cgd(门极和漏极)和Cds(漏极和源极);一般产品说明上给出的是Ciss、Coss和Crss,前后定义之间有如下关系:Ciss=Cgs+CgdCoss=Cds+CgdCgd=Crss其中Cgd和Cds是随其两端电压的变化而变化的,具体各种情况下怎么计算,我给出一篇文章。AMoreRealisticCharacterizationofPowerMOSFETOutputCapacitanceCoss.pdf1085887647.pdf至于你提到的MOSFET的死区时间,还请清楚的兄弟指教!!
十分感谢,我现在的电路仿真必须知道死区时间。
还请清楚的兄弟帮个忙!
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阿客东
LV.5
4
2004-11-21 11:00
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