• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

求教:死区时间和结电容

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/17/1085876323.bmp');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
1、在芯片说明书中有以下参数:
td(on)  turn-on delay time    14ns
tr      rise time             110ns
td(off) turn-off delay time   45ns
tf      fall time             92ns
在一些文献中提到IRFZ44这个芯片的死区时间,请问这个死区时间是指的什么?如何计算?
2、另一参数:
Ciss    input capacitance     1900pF
Coss    output capacitance     920pF
Crss    reverse transfer capacitance   170pF
在一些文献中提到结电容,请教该芯片的结电容是多少?如何计算?
不胜感激!
全部回复(3)
正序查看
倒序查看
LV.1
2
2004-05-31 08:58
事实上,结电容是个变量,很难有什么计算的,一般是参考手册给出的值,你可以仔细看看手册后面的图表.
0
回复
2006-04-04 16:43
结电容一般指Coss
0
回复
2014-07-27 20:40
COSS=Cgs+cds
0
回复