问几个弱智的问题,请高手来解答一下 越详细越好

針對你的問題做如下答覆:
1:開關電源中,占空比的大小主要取決於變壓器初級與次級的匝比.設計占空比的大小,一般在反激開關電源中其占空比設定在0.45最佳.
2:在開關電源中並不是MOSFET決定占空比,而是占空比決定著MOSFET的導通/關閉時間;關係式為:D=Ton/Ton+Toff(Ton及Toff即為MOSFET的導通/關閉時間).與頻率的關係為:Ton=D/f
3:在開關電源中並無確切的衡量占空比越大越好或越小越好,一般根據實際設計經驗其占空比相對來說適當的小于0.45其電源效率會有提高,當然其占空比越大MOSFET的導通時間就相應的加大,其溫度會有所升高.
4:至於你的第四點提問,我有點不是很明白,煩請你明瞭一些.

1:開關電源中,占空比的大小主要取決於變壓器初級與次級的匝比.  这个说法不科学,如果我的电源是工作在定频率,电流峰值检测,DCM模式,那么我保证初级匝数不变,而变化次级,这个时候初次级匝比变了 但是占空比不变,变的只是次级放电电流的斜率而已;
3:占空比越大MOSFET的導通時間就相應的加大,其溫度會有所升高. 这并不一定,对于不是工作在QR模式的电源,电流为DCM模式,如果MOSFET的导通并非在谷底导通(假设在波峰处导通),那么增大占空比,其就有可能到谷底去导通(说得也还是定频率的控制方式),这样虽然导通损耗增加了点,但是开通损耗也会减少,MOS管温度也就未必增加了.
所以对开关电源来说,不同的控制方式是不一样的

ding  yi ge